作為僅次于動(dòng)態(tài)存儲器（DRAM）市場的存儲器產(chǎn)品高品質，近幾年閃存芯片在全球消費(fèi)電子和通信產(chǎn)品如數(shù)碼相機(jī)適應性、平板電腦優化上下、手機(jī)處理方法、便攜式音樂播放器等帶動(dòng)下穩定，市場規(guī)模持續(xù)增長高端化。然而閃存芯片的兩大類NAND Flash和NOR Flash卻經(jīng)歷著不同的命運(yùn)：前者市場盡管經(jīng)歷了多年跌宕起伏穩定性，但仍保持快速增長態(tài)勢像一棵樹，未來前景可期；后者市場規(guī)模近年來則持續(xù)萎縮去突破。 2012年能運用，受終端消費(fèi)產(chǎn)品低迷、閃存產(chǎn)能過剩等因素的影響智能設備，全球閃存芯片市場銷售額出現(xiàn)7%以上的負(fù)增長不可缺少。然而得益于本土消費(fèi)電子產(chǎn)品市場的穩(wěn)步發(fā)展，中國閃存芯片市場略有下降特點。 隨著移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)的快速發(fā)展積極回應，近年來國內(nèi)相繼崛起了一批優(yōu)秀IC設(shè)計(jì)企業(yè)，如展訊又進了一步、銳迪科多種場景、格科微等，目前也有本土企業(yè)抓住機(jī)遇涉足閃存芯片市場貢獻力量。

一使用、國內(nèi)市場波動(dòng)成長，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)加劇調(diào)整 作為全球最重要的電子產(chǎn)品制造基地之一發行速度，近幾年中國對閃存芯片的需求保持快速增長的態(tài)勢更加堅強。

 

     2012年，在全球金融低迷導(dǎo)致的消費(fèi)電子產(chǎn)品需求下降性能、閃存產(chǎn)能過剩等負(fù)面因素的影響下初步建立，中國閃存芯片市場規(guī)模略微下降1.0%。形成這種局面的主要原因溝通協調，除了電子整機(jī)需求低于預(yù)期外要素配置改革，2012年閃存產(chǎn)品單價(jià)大幅下降也是導(dǎo)致市場規(guī)模下滑的重要原因。 從產(chǎn)品結(jié)構(gòu)來看保障性，中國NAND Flash市場與去年基本持平帶動產業發展，市場規(guī)模達(dá)633.7億元。根據(jù)存儲單元的不同十分落實，NAND Flash目前可以分為Single Layer Cell（SLC）倍增效應、Multi-Level Cell（MLC）和Triple-Level Cell（TLC）三類規則製定，產(chǎn)品價(jià)格依次遞減。短時(shí)間內(nèi)MLC仍會是主流產(chǎn)品優化服務策略，SLC將繼續(xù)在企業(yè)級關規定、服務(wù)器市場領(lǐng)域存活；隨著TLC性能的提升兩個角度入手，其將成為未來中低端領(lǐng)域NAND Flash的主要產(chǎn)品建強保護。2012年SLC、MLC生產效率、TLC市場銷售額分別為39.9億元使命責任、447.4億元、146.4億元創新延展。

     同時(shí)強化意識，NOR Flash市場出現(xiàn)10%以上的萎縮，市場規(guī)模達(dá)74.9億元基本情況。按NOR Flash接口方式分為Serial Flash（串口）和Parallel Flash（并口）現場，2012年市場銷售額分別為29.7億元、45.2億元力量。由于在大容量存儲方面并無優(yōu)勢我有所應，近年來NOR Flash產(chǎn)品的容量規(guī)格基本穩(wěn)定。手機(jī)和筆記本電腦等傳統(tǒng)高利潤的市場應(yīng)用深入實施，逐漸被低容量的NAND Flash所替代至關重要。與此同時(shí)，新興下游整機(jī)市場的帶動(dòng)效應(yīng)乏力效果，中國NOR Flash市場同全球市場一樣正經(jīng)歷著衰退期有所應。此外，性價(jià)比更高的Serial Flash也在逐步替代Parallel Flash合作關系，這在一定程度上也拖累了整個(gè)市場銷售額的增長敢於監督。 未來3年，在中國消費(fèi)電子制造快速恢復(fù)和本土市場的穩(wěn)定增長等有利因素的影響下結構，中國閃存市場將重回平穩(wěn)增長的態(tài)勢重要的作用，市場規(guī)模將持續(xù)擴(kuò)大。智能手機(jī)規模最大、平板電腦穩中求進、固態(tài)硬盤仍將是帶動(dòng)閃存市場增長的主要?jiǎng)恿Γ瑫r(shí)隨著閃存技術(shù)的不斷進(jìn)步最深厚的底氣，價(jià)格會持續(xù)走低協同控製，單顆芯片容量會越來越大，使用的領(lǐng)域會逐漸拓展，智能電視利用好、汽車電子以及儀器自動(dòng)化等領(lǐng)域?qū)⒊蔀殚W存市場新的增長點(diǎn)等地。預(yù)計(jì)到2015年，中國閃存市場有望超過1000億元尤為突出。

二、企業(yè)之間競爭加劇環境，先進(jìn)制程極為關(guān)鍵 NAND Flash市場近幾年的急速擴(kuò)張空間載體，給行業(yè)帶來了巨大波動(dòng)。

    
?       先是瑞薩（Renesas）的黯然離場相對簡便，將技術(shù)轉(zhuǎn)讓給力晶（Powerchip）重要組成部分；接著是奇夢達(dá)（Qimonda）的快速破產(chǎn)；然后是英特爾（Intel）和意法半導(dǎo)體（ST Microelectronics）將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲器（DRAM）和閃存業(yè)務(wù)合并成立新公司恒憶半導(dǎo)體（Numonyx）合作，可惜好景不長勃勃生機，最后被美光（Micron）收購，并且美光與英特爾在NAND Flash領(lǐng)域深入合作極致用戶體驗，共同投資建廠提供有力支撐；2011年7月東芝（Toshiba）宣布與閃迪（Sandisk）共同投資新的制造廠房“Fab5”已經(jīng)竣工并投產(chǎn)；2012年4月建議，三星宣布在西安建設(shè)閃存芯片工廠品率，項(xiàng)目總投資300億美元，預(yù)計(jì)建成后月產(chǎn)能達(dá)10萬片不斷發展，此外積極影響，還加大京畿道華城16產(chǎn)線的投資，提高2012年投資額到47.8兆韓元緊密協作。 與此同時(shí)工藝技術，2012年NAND Flash廠商工藝線程紛紛達(dá)到20nm，未來積極布局1Xnm級別規模。這些行業(yè)巨頭通過不斷擴(kuò)大產(chǎn)能近年來、提高技術(shù)實(shí)力、降低芯片價(jià)格等手段來搶占行業(yè)制高點(diǎn)非常完善，競爭激烈程度可見一斑性能穩定。 表1 2008-2013年全球主要NAND Flash廠商工藝進(jìn)展 。

    在NOR Flash領(lǐng)域作用，由于產(chǎn)品在大容量和先進(jìn)制程方面與NAND Flash難以形成有效競爭情況正常，因此部分企業(yè)一方面繼續(xù)追求先進(jìn)制程，另一方面為了尋找一線生機(jī)技術特點，謀求跨入新的領(lǐng)域提高鍛煉，開拓新的市場，積極進(jìn)入低密度NAND Flash市場。 隨之而來的是全球NOR Flash市場日趨激烈的競爭有所提升，行業(yè)內(nèi)企業(yè)兼并重組乃至申請破產(chǎn)的事件層出不窮聽得進。繼2010年美光收購恒憶半導(dǎo)體后，2012年美商芯成ISSI收購臺系NOR Flash供應(yīng)商常憶先進水平，Adesto Technologies也宣布收購Atmel的Serial型NOR Flash晶片業(yè)務(wù)便利性。

 

三、找準(zhǔn)產(chǎn)品市場定位重要平臺，實(shí)現(xiàn)本土企業(yè)崛起 目前深刻認識，由于智能手機(jī)、閃存卡應用提升、平板電腦和超極本應(yīng)用大量的NAND Flash主動性，導(dǎo)致三星、東芝發展的關鍵、美光等國際大廠紛紛轉(zhuǎn)向高容量的NAND Flash產(chǎn)品道路。
    
        而飛索（Spansion）、旺宏（Macronix）真諦所在、華邦（Winbond）也由NOR Flash業(yè)務(wù)拓展至低密度NAND Flash業(yè)務(wù)指導，同時(shí)，2012年三星宣布退出NOR Flash業(yè)務(wù)無疑給這個(gè)市場蒙上陰影倍增效應∫巹t製定？傊瑖H大廠依靠技術(shù)需求、資金堅定不移、產(chǎn)能等多方面的優(yōu)勢把控著閃存市場和產(chǎn)品趨勢。 進(jìn)軍中高端市場資金更讓我明白了、技術(shù)迎難而上、人才等因素困難重重，傳統(tǒng)的NOR Flash市場又逐漸萎縮探索，面對閃存芯片市場的激烈變化堅持先行，國內(nèi)企業(yè)將如何應(yīng)對呢？面對實(shí)力的差距滿意度，如何做一個(gè)競爭場上的智者呢情況較常見？ “欲占大路，先取兩廂”主要抓手。“大路”就是以新技術(shù)體製、新工藝所驅(qū)動(dòng)的高端閃存芯片市場，如大容量的NAND Flash市場創新科技；“兩廂”就是利潤薄服務延伸、品種多共創輝煌、應(yīng)用領(lǐng)域分散的市場，如NOR Flash市場進一步。 由于國際大廠閃存技術(shù)發(fā)展迅速大部分，產(chǎn)品更新?lián)Q代很快，為了發(fā)展需要實際需求，常常會停掉一些對他們來說利潤薄弱的落后產(chǎn)品線（如NOR Flash產(chǎn)品）解決方案，而中國仍有大量使用中低端閃存的整機(jī)企業(yè)，這給本土芯片企業(yè)帶來了很好的切入機(jī)會善謀新篇。 兆易創(chuàng)新就是這樣一家本土閃存芯片企業(yè)幅度，該企業(yè)抓住國際大廠逐步退出NOR Flash整體市場的機(jī)遇，積極拓展市場和行業(yè)應(yīng)用重要的作用；同時(shí)順應(yīng)NOR Flash市場由并口轉(zhuǎn)為串口的產(chǎn)品和技術(shù)變革趨勢，推出技術(shù)領(lǐng)先產(chǎn)品規模最大。公司連續(xù)推出一系列大容量及低壓的Serial NOR Flash產(chǎn)品穩中求進，涉及包括USB Key、DVD最深厚的底氣、數(shù)字機(jī)頂盒協同控製、手機(jī)、路由器等傳統(tǒng)行業(yè)應(yīng)用以及智能電視傳遞、工業(yè)控制等新興的行業(yè)應(yīng)用試驗，取得了國內(nèi)整體NOR Flash市場第四的優(yōu)異成績，而排名前三位就是美光開展攻關合作、飛索以及旺宏等國際大廠製度保障，并且在有良好發(fā)展前景的Serial Flash國內(nèi)細(xì)分市場中排名第一，市場份額仍在不斷的擴(kuò)大的有效手段，成功地取得“兩廂”統籌推進。然而，公司并沒有滿足NOR Flash市場給他們帶來的穩(wěn)定收入關鍵技術，他們的目標(biāo)是占領(lǐng)“大路”了解情況。公司投入大量的人力和資金積極開發(fā)低容量的NAND Flash，努力地縮小與國際大廠之間的差距技術研究，在NAND Flash芯片市場中伺機(jī)尋求機(jī)會重要的。

 

       兆易創(chuàng)新存儲芯片的工藝技術(shù)并沒有比國際大廠先進(jìn)，但是他們認(rèn)清市場競爭格局姿勢，找準(zhǔn)產(chǎn)品定位相互融合，先占領(lǐng)國際大廠放棄的“兩廂”，從而獲得企業(yè)存在的契機(jī)適應性強，再劍指目標(biāo)――“大路”技術交流。 由此及彼，在如此全球化的激烈競爭中，中國IC設(shè)計(jì)企業(yè)在資金創造更多、技術(shù)宣講活動、人才明顯處于劣勢的條件下，如果一味地與國外巨頭追求高性能工藝技術，很容易在創(chuàng)業(yè)初期由于資金的大量投入無果效率，導(dǎo)致最后資金鏈斷裂而破產(chǎn)。國內(nèi)企業(yè)應(yīng)該揚(yáng)長避短近年來，先集中精力于中低端市場講道理，依靠龐大的消費(fèi)者群體，逐步提高市場占有率技術先進，將中低端產(chǎn)品做好做精更多的合作機會，培養(yǎng)品牌信任度與美譽(yù)度，并認(rèn)真積累技術(shù)健康發展、資金有效保障、人才等，再以實(shí)力徐圖發(fā)展高端產(chǎn)品長效機製。協(xié)調(diào)好眼前利益與長遠(yuǎn)利益講實踐，蹲下去是為了跳得更高。