DRAM 發(fā)展快到盡頭，磁性存儲器（MRAM）和相變存儲器（PRAM）是最有潛力的接班人結構？IBM 和三星電子最近宣稱不久前，“自旋傳輸磁性存儲器（STT-MRAM）”的研究出現(xiàn)突破參與能力，有望加速走上商用之途生動。
 
        IBM 和三星在電機(jī)電子工程師學(xué)會（IEEE）發(fā)布研究論文宣稱深入，兩家公司攜手研發(fā)的 STT-MRAM 的生產(chǎn)技術(shù)優勢，成功實(shí)現(xiàn) 10 納秒（nanosecond）的傳輸速度和超省電架構(gòu)積極，理論上表現(xiàn)超越 DRAM適應性強。


 
       STT-MRAM 借著改變薄膜內(nèi)的電子旋轉(zhuǎn)方向技術交流、控制電流，表現(xiàn)效能和價格競爭力都優(yōu)于 DRAM拓展。最重要的是創造更多，DRAM 很難微縮至 10 納米以下，STT-MRAM 則沒有此一困擾不斷進步。業(yè)界人士表示工藝技術，STT-MRAM 是次世代存儲器中最實(shí)際的替代方案，95% 的現(xiàn)行 DRAM 產(chǎn)設(shè)備皆可用于制造 STT-MRAM規模。IBM 和三星之外近年來，SK 海力士（SK Hynix）和東芝（Toshiba）也協(xié)力研發(fā)此一技術(shù)。


 
       除了 STT-MRAM發展目標奮鬥，近來相變存儲芯片（PRAM）也備受矚目技術先進，英特爾的 3D Xpoint 就包含 PRAM 技術(shù)。PRMA 結(jié)合 DRAM 和 NAND Flash 優(yōu)點(diǎn)的特點，速度和耐用性提高 1 千倍健康發展，不過目前仍在理論階段。

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