這款并行MRAM芯片采用符合RoHS標準的44芯TSOP II型封裝道路，為262,144字 x 16位的4,194,304位MRAM作用，數(shù)據(jù)保持期長達20年以上而不會丟失相互配合，并會在掉電時由低壓抑制電路自動提供保護，以防止在非工作電壓期間寫入著力增加。MR2A16AMYS35能夠在擴展級（-40至+105 °C）溫度范圍內工作智能化，并在整個溫度范圍內保持高度可靠的數(shù)據(jù)存儲能力。

Everspin將持續(xù)快速擴展MRAM產品組合處理，以協(xié)助更多客戶實現(xiàn)產品差異化的目標建設。根據(jù)產品發(fā)展藍圖，我們將不斷提高MRAM產品的容量助力各行，并以極具成本效益的方式保持MRAM的獨有特性前來體驗。”MRAM是一種非易失性存儲技術，主要用來擴展μC/OS-II功能確定性。在不需要電能的情況下可以保留存儲內容至少十年更加廣闊。就無法滿足系統(tǒng)健壯性要求，

?表為并行MRAM型號產品列表

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp
4Mb	256Kx16	MR2A16AYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
4Mb	256Kx16	MR2A16ACYS35	44-TSOP	3.3V	-40 ℃to +85℃
4Mb	256Kx16	MR2A16AVYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +105℃
4Mb	256Kx16	MR2A16AMYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +125℃
4Mb	256Kx16	MR2A16AMA35	48-BGA	3.3V	0℃ to +70℃
4Mb	256Kx16	MR2A16ACMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃
4Mb	256Kx16	MR2A16AVMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +105℃
4Mb	512Kx8	MR2A08AYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
4Mb	512Kx8	MR2A08ACYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
4Mb	512Kx8	MR2A08AMYS35	44-TSOP	3.3V	-40 ℃to +125℃
4Mb	512Kx8	MR2A08AMA35	48-BGA	3.3V	0℃ to +70℃
4Mb	512Kx8	MR2A08ACMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃

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