安全性高可靠性耐擦寫MRAM存儲器
2018-06-11 14:18:07
選用存儲器時主要考慮的指標(biāo)包括安全性技術創新、使用壽命相關、讀寫速度緊密相關、產(chǎn)品功耗和存儲容量等。MRAM(鐵電存儲器)由于具有ROM的非易失性和RAM的隨機(jī)存取特性銘記囑托,以及高速讀寫/高讀寫耐久性(高達(dá)1014次)和抗輻射特性引領,非常適合許多工業(yè)類和醫(yī)療類應(yīng)用。
MRAM使得設(shè)計產(chǎn)品無需配備后備電池和掉電保護(hù)電路示範。單芯片MRAM解決方案能夠使產(chǎn)品體積做得更小應用前景,減少維護(hù)和保養(yǎng)成本有很大提升空間,滿足環(huán)保、低功耗等要求首次。其高速讀寫/高讀寫耐久性能夠滿足對患者信息數(shù)據(jù)實(shí)時頻繁記錄的要求可能性更大。其抗輻射性則非常適用于需要對產(chǎn)品進(jìn)行射線消毒的領(lǐng)域。這些優(yōu)點(diǎn)都非常適合便攜式醫(yī)療器械應(yīng)用搖籃。
對于一些工業(yè)和通信類應(yīng)用技術,工程師往往會選用SRAM加EEPROM及電容的存儲方案,靠電容維持SRAM運(yùn)作推動,然后將SRAM的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)存到EEPROM中相對較高。這樣,相對單一的鐵電存儲器方案開展研究,系統(tǒng)的復(fù)雜度增加了很多姿勢,而且這也存在一定的風(fēng)險相互融合。選用SRAM加電池來存儲首要任務,同樣沒有多少優(yōu)勢,而且電池也存在一定使用壽命不同需求;在野外等工作環(huán)境比較惡劣的情況下發展,電池還有可能會腐爛。而鐵電存儲器只要一顆就可以解決總之,并且可以減少不必要的風(fēng)險面向。
在醫(yī)療領(lǐng)域,MRAM的最大優(yōu)點(diǎn)在于它的抗輻射性研學體驗。而對于工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用(比如電表和流量計應(yīng)用)建設項目,它們對數(shù)據(jù)的記錄非常頻繁(ms級),
MRAM的優(yōu)點(diǎn)在于高耐久性落實落細。對于汽車應(yīng)用相結合,考慮到駕車的安全性,在停車前的15s或30s需要將汽車的行駛狀況記錄下來高品質。如果存儲器存儲速度不夠快不折不扣,最后的關(guān)鍵數(shù)據(jù)可能丟失。鐵電存儲器能夠很好地滿足這類應(yīng)用資源優勢。
很多工程師在設(shè)計產(chǎn)品時需要用到很大容量的存儲器高效利用,但是如果MRAM容量太大導(dǎo)致成本無法接受的話,有一種解決方法是采用小容量的MRAM存儲關(guān)鍵數(shù)據(jù)估算,將不太重要的數(shù)據(jù)存儲到FLASH或EEPROM中講理論,這樣既解決了成本問題,安全性又能得到保障不要畏懼。
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