PSRAM芯片是屬于偽靜態(tài)SRAM器件，內(nèi)置內(nèi)存顆粒和SDRAM的顆粒類似的過程中，器件外部接口和SRAM相似領域，不需要跟SDRAM一樣復雜的控制器和刷新機制可以采用跟SRAM一樣的接口模式外擴PSRAM器件前來體驗。

PSRAM芯片容量包括1Mbytex8就此掀開，2Mbytex8合作關系，4Mbytex8自動化方案，8Mbytex8四種尤為突出，不能夠與SDRAM的高密度容量對比體系，但是相對比SRAM,PSRAM的芯片64Mbit的容量是幾乎大了一倍以上保障性，速度支持突發(fā)模式，讀取速度不算很慢，可以滿足一般需求十分落實，

韓國JSC推出一款型號為EM7644SU16ASZP的PSRAM芯片倍增效應，EM7644SU16ASZP這款芯片高達64Mbit容量,讀取速度為70ns，電源供電電壓為1.8V製造業，封裝為BGA優化服務策略，可與 Micron（鎂光）,Samsung（三星），ISSI（芯成） 產(chǎn)品完全兼容替代發展基礎。

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