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主頁 ? 產(chǎn)品中心 ? SRAM ? pSRAM ? Parallel pSRAM ? JSC ?
?      偽靜態(tài)存儲器(Parrallel pSRAM)的設(shè)計(jì)是用于直接替代靜態(tài)隨機(jī)存儲器(SRAM)預期,即使內(nèi)部存儲器的操作并非靜態(tài)。商業(yè)化的兩種偽靜態(tài)存儲器分別是偽靜態(tài)隨機(jī)存儲器(PSRAM)及鐵電隨機(jī)存儲器(F—RAM)幅度。PSRAM針對慢速SRAM應(yīng)用結構;當(dāng)純粹計(jì)算每個位的成本時具有競爭優(yōu)勢。F-RAM針對電池后備SRAM(即BBSRAM)應(yīng)用貢獻,在系統(tǒng)成本及產(chǎn)品供應(yīng)方面具有競爭力規模最大。F-RAM還有一個目標(biāo)用途是用于非易失性數(shù)據(jù)獲得,在這種應(yīng)用中可以提供卓越的性能統籌。
JSCJSC濟(jì)州半導(dǎo)體致力于PSRAM芯片領(lǐng)域最深厚的底氣,并成為了全球半導(dǎo)體PSRAM存儲芯片領(lǐng)域解決方案供應(yīng)商之一。
由于濟(jì)州半導(dǎo)體出道到SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器)和4M SRAM的2001市場振奮起來,濟(jì)州半導(dǎo)體持續(xù)實(shí)施全系列低功耗SRAM產(chǎn)品通過1M品質、2M、4M至8M SRAM深入各系統,也包括8M至64M的PSRAM存儲芯片產(chǎn)品解決問題,產(chǎn)品線主要是由SRAM芯片、PSRAM芯片作用、NAND FLASH組成相互配合。

Density Part number Voltage Max Speed DPD mode Pacakge Type Product Description PDF下載
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