MR25H40CDC是由EVERSPIN科技公司推出的一款非易失性MRAM存儲芯片充足，這款串行MRAM是可以兼容兼容串行EEPROM和串行閃存的讀/寫時序進展情況，擁有非常出色的耐讀/寫能力，沒有讀/寫操作沒有寫入延遲的問題綠色化發展。
 
MR25H40CDC工作電壓為3.3V,容量為4Mbit與富士通的MB85RQ4ML的容量一致至關重要，數(shù)據(jù)位寬8位，工作溫度范圍：-40℃ to +85℃用上了，一款應(yīng)用于工業(yè)級產(chǎn)品的非易失性存儲器提升行動。
 
MR25H40CDC采用5 mm x 6 mm 8引腳DFN封裝封裝，并且都與串行EEPROM可靠保障、閃存和FeRAM產(chǎn)品兼容自然條件。對于必須通過一小部分I/O引腳快速存儲和檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用，MR25H40CDC可以說是理想的存儲器解決方案開展。
 
MR25H40CDC已廣泛用在數(shù)據(jù)存儲互動互補、工業(yè)自動化、游戲意向、能源管理意料之外、通訊、運(yùn)輸領(lǐng)域形式。
 
Everspin科技是開發(fā)和制造獨(dú)立式與嵌入式磁性隨機(jī)存儲器(MRAM)和集成磁（Integrated Magnetic）傳感器的全球領(lǐng)導(dǎo)業(yè)者置之不顧。在運(yùn)算、存儲數字化、工業(yè)和辦公自動化市場方便，已有越來越多的領(lǐng)導(dǎo)廠商采用Everspin MRAM技術(shù)開發(fā)最先進(jìn)的產(chǎn)品。英尚微電子代理的Everspin的MRAM技術(shù)具高可靠性各領域、快速讀/寫應用領域、即時開啟、非揮發(fā)性深入闡釋、和無限次擦除等特性相關性，現(xiàn)在Everspin的產(chǎn)品組合包括提供BGA和TSOP兩種可選封裝、容量從256Kb 到16Mb 的8位和16位并行I/O產(chǎn)品物聯與互聯，以及采用DFN封裝穩定、容量從256Kb到1Mb的串行I/O產(chǎn)品。

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