Everspin在磁存儲器設(shè)計，制造和交付給相關(guān)應(yīng)用方面的知識和經(jīng)驗在半導(dǎo)體行業(yè)中是獨一無二的有所應。擁有超過600項有效專利和申請的知識產(chǎn)權(quán)組合有望，在平面內(nèi)和垂直磁隧道結(jié)（MTJ）STT-MRAM位單元的開發(fā)方面處于市場領(lǐng)先地位重要意義。  在數(shù)據(jù)中心服務體系，云存儲全面展示，能源進一步，工業(yè)需求，汽車和運輸市場中部署了超過1.2億個MRAM和STT-MRAM產(chǎn)品，為全球MRAM用戶奠定了最強大深刻變革，增長最快的基礎(chǔ)結論。下面介紹關(guān)于切換MRAM技術(shù) 
 

切換MRAM使用1個晶體管，1個MTJ單元來提供簡單的高密度存儲器著力增加。Everspin使用獲得專利的Toggle電池設(shè)計智能化，可提供高可靠性科技實力。數(shù)據(jù)在溫度下20年始終是非易失性的處理。

在讀取期間建設，傳輸晶體管被激活，并且通過將單元的電阻與參考器件進行比較來讀取數(shù)據(jù)助力各行。在寫入期間前來體驗，來自寫入線1和寫入線2的磁場會在兩條線的交點處寫入單元，但不會干擾任一條線上的其他單元確定性。

EVERSPIN MRAM產(chǎn)品采用一個晶體管更加廣闊，一個磁隧道結(jié)（MTJ）存儲單元作為存儲元件。MTJ由固定的磁性層講故事，薄的電介質(zhì)隧道勢壘和自由磁性層組成非常完善。當對MTJ施加偏壓時，被磁性層自旋極化的電子將通過稱為隧穿的過程穿過介質(zhì)阻擋層全面革新。
 

當自由層的磁矩平行于固定層時作用，MTJ器件具有低電阻，而當自由層磁矩與固定層矩反平行時行業分類，MTJ器件具有高電阻技術特點。

MRAM是一種利用電子自旋的磁性提供非易失性而不會磨損的存儲器。MRAM將信息存儲在與硅電路集成的磁性材料中發展邏輯，從而在單個無限耐用的設(shè)備中提供SRAM的速度和Flash的非易失性凝聚力量。 

 
Everspin MRAM器件旨在結(jié)合非易失性存儲器和RAM的最佳功能，為越來越多的電子系統(tǒng)提供“即時接通”功能和斷電保護聽得進。 
 
 本文關(guān)鍵詞： MRAM

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