everspin的MR25H10是一個(gè)1,048,576位磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM）設(shè)備應用的因素之一，由131,072個(gè)8位字組成服務好。MR25H10提供串行EEPROM和串行閃存兼容的讀/寫時(shí)序，沒(méi)有寫延遲提供了有力支撐，并且讀/寫壽命不受限制的過程中。
 
與其他串行存儲(chǔ)器不同生產體系，讀取和寫入都可以在內(nèi)存中隨機(jī)發(fā)生技術研究，而兩次寫入之間沒(méi)有延遲經過。對(duì)于必須使用少量I/O引腳快速存儲(chǔ)和檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用範圍和領域，MR25H10是理想的存儲(chǔ)器解決方案有所增加。
 
MR25H10提供5mmx6mm8引腳DFN封裝或5mmx6mm8引腳DFN小標(biāo)志封裝。兩者均與串行EEPROM更高要求，閃存和FeRAM產(chǎn)品兼容越來越重要的位置。該系列產(chǎn)品中的MR25H10CDF，MR25H10CDC可用于替換Cypress的型號(hào)FM24V10.
 
MR25H10可在各種溫度范圍內(nèi)提供高度可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)共同學習。該產(chǎn)品提供工業(yè)（-40°至+85°C）和AEC-Q1001級(jí)（-40°C至+125°C）工作溫度范圍選項(xiàng)順滑地配合。
 
對(duì)于必須使用最少數(shù)量的引腳快速存儲(chǔ)和檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用，MR25H10是理想的mram芯片應用優勢「哔|量發展？商峁〢EC-Q1001級(jí)合格選項(xiàng)。40MHz的讀寫速度緊密相關，具有無(wú)限的耐力更默契了。數(shù)據(jù)非易失性，保留20年培訓。數(shù)據(jù)保留掉電不合理波動。符合RoHS的軟件包。
 
1Mb串行SPI MRAM
•無(wú)寫入延遲
•無(wú)限的寫續(xù)航力
•數(shù)據(jù)保留超過(guò)20年
•斷電時(shí)自動(dòng)數(shù)據(jù)保護(hù)
•塊寫保護(hù)
•快速重要工具，簡(jiǎn)單的SPI接口積極拓展新的領域，時(shí)鐘速率高達(dá)40MHz
•2.7至3.6伏電源范圍
•低電流睡眠模式
•工業(yè)溫度
•提供8引腳DFN或8引腳DFN符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的小標(biāo)志
包裝
•直接替換串行EEPROM，閃存更優質，F(xiàn)eRAM
•AEC-Q1001級(jí)選件

1Mb串口MRAM芯片其他型號(hào)如下：

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp
1Mb	128Kx8	MR25H10CDC	8-DFN	3.3V	Industrial
1Mb	128Kx8	MR25H10CDCR	8-DFN	3.3v	Industrial
1Mb	128Kx8	MR25H10CDF	8-DFN sf	3.3V	Industrial
1Mb	128Kx8	MR25H10CDFR	8-DFN sf	3.3v	Industrial
1Mb	128Kx8	MR25H10MDC	8-DFN	3.3V	AEC-Q100 Grade 1
1Mb	128Kx8	MR25H10MDCR	8-DFN	3.3v	AEC-Q100 Grade 1
1Mb	128Kx8	MR25H10MDF	8-DFN sf	3.3V	AEC-Q100 Grade 1
1Mb	128Kx8	MR25H10MDFR	8-DFN sf	3.3v	AEC-Q100 Grade 1

我司供應(yīng)不同容量的MRAM芯片產(chǎn)品相對開放，型號(hào)可參考以下鏈接：

http://mifengguhua.com/list-180-1.html

 本文關(guān)鍵詞：everspin  SPI MRAM  MR25H10 

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