下一代企業(yè)級SSD中基于DRAM的SSD控制器架構(gòu)新體系。 STT-MRAM使SSD設(shè)計人員能夠優(yōu)化占地面積，性能不難發現，耐用性和可靠性，同時降低復(fù)雜性并實現(xiàn)高級功能攻堅克難。
 
STT-MRAM可以在SSD中提供更大的寫緩沖區(qū)顯示，而保持能量的存儲量卻更少雙向互動。通過大大減少停電保護(hù)所需的能量存儲量設計能力，可以使用與超級電容器或電池相反的高度可靠的鋁或鉭電容器來實現(xiàn)能量存儲。消除了對溫度敏感和有壽命限制的超級電容器和電池的需求更為一致，從而提高了SSD的可靠性和可制造性。這消除了由于使用超級電容器和電池而產(chǎn)生的其他制造限制或潛在的現(xiàn)場服務(wù)問題飛躍。
 
除了掉電保護(hù)之外，在低延遲STT-MRAM中實現(xiàn)的更大的寫緩沖區(qū)可以通過在允許主機(jī)回壓之前緩沖更多的數(shù)據(jù)來大大提高正常操作期間的突發(fā)寫性能重要部署。增加的寫緩沖區(qū)大小還可以實現(xiàn)更多的寫合并，從而減少寫放大并提高閃存的耐久性智慧與合力。
 
STT-MRAM提供分層FTL的非易失性存儲，并簡化了控制器設(shè)計過程中，同時減少了電源故障后的恢復(fù)時間。除了支持壓縮和重復(fù)數(shù)據(jù)刪除表之外能運用，STT-MRAM的使用還為本地低延遲CMB實現(xiàn)提供了持久存儲，同時減輕了向SSD驅(qū)動器添加這種廣泛功能的任務(wù)智能設備。EVERSPIN的STT-MRAM現(xiàn)在已經(jīng)投入生產(chǎn)蓬勃發展，可以加速SSD的性能積極回應，可靠性和密度。


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