Everspin在磁存儲器設計能運用，MRAM,STT-MRAM的制造和交付到相關應用中的知識和經驗在半導體行業(yè)中是獨一無二的等形式。擁有超過600多項有效專利和申請的知識產權產品組合實力增強，在平面內和垂直磁隧道結（MTJ）STT-MRAM位單元的開發(fā)方面處于市場領先地位結論。英尚微電子作為everspin的核心代理商,所提供的MRAM具有高度可靠的數據存儲.沒有寫延遲提供堅實支撐，并且讀/寫壽命不受限制廣泛關註。
 
產品描述
MR20H40CDF是Everspin 所生產的由4194,304位磁阻隨機存取存儲器（MRAM）設備系列集聚效應，組織為524,288個8位字完成的事情。對于必須使用少量I/O引腳快速存儲和檢索數據和程序的應用程序深度，它們是理想的內存解決方案帶動擴大。它們具有串行EEPROM和串行閃存兼容的讀/寫時序，沒有寫延遲開拓創新，并且讀/寫壽命不受限制持續發展。與其他串行存儲器不同必然趨勢，使用MR2xH40系列，讀取和寫入都可以在內存中隨機發(fā)生擴大，而寫入之間沒有延遲多樣性。
 
MR20H40CDF系列可在各種溫度范圍內提供高度可靠的數據存儲。MR20H40CDF MRAM存儲芯片（50MHz）提供了（-40°至+85°C）的工業(yè)溫度范圍新格局。MR20H40CDF（40MHz）具有工業(yè)（-40°至+85°C）明顯，擴展（-40至105°C）和AEC-Q1001級（-40°C至+125°C）工作溫度范圍選項。兩者均采用5x6mm顯示，8引腳DFN封裝倍增效應。該引腳與串行SRAM，EEPROM製造業，閃存和FeRAM產品兼容優化服務策略。

產品圖片

 

產品特征
沒有寫入延遲
•無限的寫續(xù)航力
•數據保留超過20年
•斷電時自動數據保護
•快速，簡單的SPI接口發展基礎，MR20H40的時鐘速率高達50 MHz兩個角度入手。
•3.0至3.6伏電源范圍
•低電流睡眠模式
•工業(yè)（-40至85°C），擴展（-40至105°C）和AEC-Q100 1級（-40至125°C）溫度范圍選項同期。
•提供符合RoHS要求的8引腳DFN或8引腳DFN小標志生產效率。
•直接替換串行EEPROM，閃存和FeRAM
•MSL 3級

DFN封裝引腳圖（頂視圖）

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