在2019全球閃存峰會(huì)上,Everspin作為全球
MRAM存儲(chǔ)芯片龍頭分享如何用MRAM這類非易失性存儲(chǔ)和NVMe SSD構(gòu)建未來的云存儲(chǔ)的解決方案方案。
首先STT-MRAM作為異常掉電數(shù)據(jù)緩存的介質(zhì)有以下幾大優(yōu)勢(shì):
1. 非易失性存儲(chǔ)器芯片,比傳統(tǒng)的
SRAM或者DRAM在數(shù)據(jù)保持方面更強(qiáng)攜手共進;
2. 芯片容量較大,單顆芯片容量高達(dá)1Gb推進一步;
3. 采用DDR4接口經過,帶寬可以到2.7GB/s,超強(qiáng)性能力度;
4. 擦寫次數(shù)幾十億次明確了方向!生命周期系統性;
5. 超低延遲;
6. 數(shù)據(jù)保存期很久:85度高溫下數(shù)據(jù)可以保存10年以上單產提升;
7. 數(shù)據(jù)錯(cuò)誤率低傳遞;
8. 可靠性強(qiáng)。
MRAM可應(yīng)用在NVMe SSD的下列場(chǎng)景勞動精神,PCIe SSD開展攻關合作、NVMe-oF、全閃存陣列:
NVMe SSD場(chǎng)景
MRAM為NVMe SSD動手能力,尤其是QLC做緩存有以下優(yōu)勢(shì):
采用MRAM之后逐步顯現,NVMe SSD內(nèi)部的架構(gòu)發(fā)生了以下圖片的變化,將MRAM作為數(shù)據(jù)緩存使用引領,而FTL映射表存儲(chǔ)依然是DRAM:
NVMe-oF場(chǎng)景
數(shù)據(jù)中心采用NVMe-oF有以下四大優(yōu)勢(shì):
1. 實(shí)現(xiàn)低于1微秒的數(shù)據(jù)傳輸,跳過內(nèi)核示範、跳過主機(jī)CPU和內(nèi)存應用前景、可以P2P傳輸;
2. 把CPU計(jì)算任務(wù)分?jǐn)偟綄S糜?jì)算芯片或者存儲(chǔ)控制器運行好;
3. 讀寫帶寬更高首次;
4. 服務(wù)器可以更簡(jiǎn)單、省電部署安排,不用昂貴的X86 CPU搖籃,用ARM CPU就夠了。
以下圖片是傳統(tǒng)的NVMe-oF的數(shù)據(jù)流推廣開來,要通過系統(tǒng)內(nèi)存和CPU再進(jìn)入NVMe SSD推動,這樣會(huì)導(dǎo)致讀寫延遲比較長(zhǎng)。
如果采用了MRAM作為智能網(wǎng)卡上的緩存資源配置,數(shù)據(jù)就直接通過P2P傳輸給NVMe SSD信息,并跳過了系統(tǒng)內(nèi)存和CPU,大大縮短讀寫延遲大力發展,也大幅提升性能豐富內涵。
MRAM用在全閃存陣列
在全閃存陣列的存儲(chǔ)控制器中,MRAM可以作為緩存加速產能提升,并提升產(chǎn)品性能及可靠性適應性,同時(shí)可以不需要額外的電池或者電容。
未來的數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)長(zhǎng)這樣通過活化?
未來以NVMe SSD和NVMe-oF為基礎(chǔ)的云存儲(chǔ)硬件架構(gòu)如下圖落地生根,其中MRAM可以用在網(wǎng)卡緩存、NVDIMM健康發展、全閃存陣列加速和NVMe SSD內(nèi)部建設項目。
Everspin公司專業(yè)設(shè)計(jì)制造嵌入式MRAM和自旋傳遞扭矩STT-MRAM的領(lǐng)導(dǎo)者最為突出,其市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性,低延遲和安全性至關(guān)重要相結合。在數(shù)據(jù)中心提升,云存儲(chǔ),能源不折不扣,工業(yè)支撐能力,汽車和運(yùn)輸市場(chǎng)中提供了超過1.2億個(gè)MRAM和STT-RAM產(chǎn)品,為MRAM用戶奠定了強(qiáng)大高效利用,增長(zhǎng)快的基礎(chǔ)特征更加明顯。Everspin MRAM可以抵抗高輻射,可以在極端溫度條件下運(yùn)行講理論,并且可以防篡改的可能性。這使得MRAM適用于汽車,工業(yè)服務為一體,軍事和太空應(yīng)用問題。
Everspin代理英尚微電子提供完善的產(chǎn)品解決方案及技術(shù)方面支持和指導(dǎo).
本文關(guān)鍵詞:MRAM
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