DDR SDRAM是具有雙倍數(shù)據(jù)傳輸率的SDRAM推動，其數(shù)據(jù)傳輸速度為系統(tǒng)時(shí)鐘頻率的兩倍的有效手段，由于速度增加實際需求，其傳輸性能優(yōu)于傳統(tǒng)的SDRAM綜合運用。DDR SDRAM 在系統(tǒng)時(shí)鐘的上升沿和下降沿都可以進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸確定性。SDRAM在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)只傳輸一次數(shù)據(jù)長遠所需，它是在時(shí)鐘上升期進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸高質量；而DDR則是一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)可傳輸兩次數(shù)據(jù)流動性，也就是在時(shí)鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù)成就。下面英尚微電子介紹DDR SDRAM內(nèi)存發(fā)展歷程重要方式。
 
（1）DDR SDRAM
 
DDR SDRAM雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它是SDR SDRAM的升級(jí)版系統，DDR SDRAM在時(shí)鐘周期的上升沿與下降沿各傳輸一次信號(hào)非常重要，使得它的數(shù)據(jù)傳輸速度是SDR SDRAM的兩倍，而且這樣做還不會(huì)增加功耗空間廣闊，至于定址與控制信號(hào)與SDR SDRAM相同營造一處，僅在上升沿傳輸改革創新，這是對(duì)當(dāng)時(shí)內(nèi)存控制器的兼容性與性能做的折中。
 
DDR SDRAM采用184pin的DIMM插槽取得顯著成效，防呆缺口從SDR SDRAM時(shí)的兩個(gè)變成一個(gè)新模式，常見工作電壓2．5V，初代DDR內(nèi)存的頻率是200MHz不容忽視，隨后慢慢的誕生了DDR-266組織了、DDR-333和那個(gè)時(shí)代主流的DDR-400，至于那些運(yùn)行在500MHz說服力，600MHz搶抓機遇、700MHz的都算是超頻條了，DDR內(nèi)存剛出來(lái)的時(shí)候只有單通道逐漸顯現，后來(lái)出現(xiàn)了支持雙通芯片組全會精神，讓內(nèi)存的帶寬直接翻倍，兩根DDR－400內(nèi)存組成雙通道的話基本上可以滿足FBS 800MHz的奔騰4處理器拓展基地，容量則是從128MB到1GB集中展示。

 
（2）DDR2 SDRAM DDR2/DDR II SDRAM是由JEDEC進(jìn)行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不同就是分享，雖然同是采用了在時(shí)鐘的上升/下降沿同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞焦蚕?，?a href="http://mifengguhua.com/list-157-1.html" target="_blank">DDR2SDRAM內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力（即：4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)取）方式之一。換句話說(shuō)生動，DDR2內(nèi)存每個(gè)時(shí)鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù)，并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運(yùn)行創新能力。
 
DDR2的標(biāo)準(zhǔn)電壓下降至1.8V新品技，這使得它較上代產(chǎn)品更為節(jié)能，DDR2的頻率從400MHz到1200MHz求得平衡，當(dāng)時(shí)的主流的是DDR2-800紮實做，更高頻率其實(shí)都是超頻條，容量從256MB起步最大4GB至關重要，不過(guò)4GB的DDR2是很少的提供深度撮合服務，在DDR2時(shí)代的末期大多是單條2GB的容量。
 
（3）DDR3 SDRAM DDR3提供了相較于DDR2 SDRAM更高的運(yùn)行效能與更低的電壓的發生，是DDR2 SDRAM的后繼者（增加至八倍）組成部分，也是現(xiàn)時(shí)流行的內(nèi)存產(chǎn)品規(guī)格。

和上一代的DDR2相比新的動力，DDR3在許多方面作了新的規(guī)范的過程中，核心電壓降低到1.5V，預(yù)取從4-bit變成了8-bit廣泛關註，這也是DDR3提升帶寬的關(guān)鍵國際要求，同樣的核心頻率DDR3能夠提供兩倍于DDR2的帶寬流動性，此外DDR3還新增了CWD鍛造、Reset競爭激烈、ZQ、STR改善、RASR等技術(shù)空白區。
 
DDR3內(nèi)存與DDR2一樣是240Pin DIMM接口，不過(guò)兩者的防呆缺口位置是不同的信息化，不能混插形勢，常見的容量是512MB到8GB，當(dāng)然也有單條16GB的DDR3內(nèi)存取得明顯成效，只不過(guò)很稀少約定管轄。頻率方面從800MHz起步，目前比較容量買到最高的頻率2400MHz使用，實(shí)際上有廠家推出了3100MHz的DDR3內(nèi)存大幅拓展，只是比較難買得到，支持DDR3內(nèi)存的平臺(tái)有Intel的后期的LGA 775主板P35更加堅強、P45與時俱進、x38、x48等初步建立，LGA 1366平臺(tái)綜合運用，LGA 115x系列全都支持還有LGA 2011的x79，AMD方面AM3的方法、AM3＋實事求是、FM1、FM2落到實處、FM3接口的產(chǎn)品全都支持DDR3服務水平。
 
（4）DDR4 SDRAM 從DDR到DDR3，每一代DDR技術(shù)的內(nèi)存預(yù)取位數(shù)都會(huì)翻倍產品和服務，前三者分別是2bit應用擴展、4bit及8bit，以此達(dá)到內(nèi)存帶寬翻倍的目標(biāo)增多，不過(guò)DDR4在預(yù)取位上保持了DDR3的8bit設(shè)計(jì)活動上，因?yàn)槔^續(xù)翻倍為16bit預(yù)取的難度太大，DDR4轉(zhuǎn)而提升Bank數(shù)量進一步推進，它使用的是Bank Group（BG）設(shè)計(jì)導向作用，4個(gè)Bank作為一個(gè)BG組，可自由使用2-4組BG應用的選擇，每個(gè)BG都可以獨(dú)立操作十大行動。使用2組BG的話左右，每次操作的數(shù)據(jù)16bit，4組BG則能達(dá)到32bit操作綜合措施，這其實(shí)變相提高了預(yù)取位寬可靠保障。
 
DDR4相比DDR3最大的區(qū)別有三點(diǎn)：16bit預(yù)取機(jī)制（DDR3為8bit），同樣內(nèi)核頻率下理論速度是DDR3的兩倍設計標準；更可靠的傳輸規(guī)范開展，數(shù)據(jù)可靠性進(jìn)一步提升；工作電壓降為1.2V發揮重要帶動作用，更節(jié)能意向。
 
DDR4內(nèi)存的針腳從DDR3的240個(gè)提高到了284個(gè)，防呆缺口也與DDR3的位置不同至關重要，還有一點(diǎn)改變就是DDR4的金手指是中間高兩側(cè)低有輕微的曲線發展空間，而之前的內(nèi)存金手指都是平直的，DDR4既在保持與DIMM插槽有足夠的信號(hào)接觸面積有所應，也能在移除內(nèi)存的時(shí)候比DDR3更加輕松足了準備。
 
如UMI的32位 DDR4 SDRAM,UMI UD408G5S1AF的密度為8Gb，數(shù)據(jù)速率為
3200Mbps/2933Mbps/2666Mbps/2400Mbps/2133Mbps/1866Mbps/1600Mbps認為。商業(yè)工作溫度范圍為0℃至+95℃系統，工業(yè)工作溫度范圍-40℃至+95℃。支持應(yīng)用在UltraScale FPGA器件中有助于確保獲得最大時(shí)序裕量重要意義。為保證最佳信號(hào)完整性, I/O技術(shù)還包括傳輸預(yù)加重交流等、接收均衡、低抖動(dòng)時(shí)鐘和噪聲隔離設(shè)計(jì)技術(shù)規劃。英尚微電子支持DDR4SDRAM內(nèi)存接口送樣及測(cè)試提高。
 
不同類型DDR內(nèi)存性能參數(shù)對(duì)比
 
從DDR到DDR4，不同性能參數(shù)差異主要體現(xiàn)在2個(gè)地方：電源電壓進入當下、數(shù)據(jù)傳輸速率紮實。電源電壓值越來(lái)越低，而數(shù)據(jù)傳輸速率卻是呈幾何倍數(shù)增長(zhǎng)新體系。