MRAM是一種使用電子自旋來存儲信息的存儲技術(shù)明顯。MRAM具有成為通用存儲器的潛力-能夠?qū)⒋鎯Υ鎯ζ鞯拿芏扰cSRAM的速度結(jié)合在一起，同時始終保持非易失性和高能效方案。Everspin MRAM可以抵抗高輻射搖籃，可以在極端溫度條件下運(yùn)行前沿技術，并且可以防篡改支撐作用。這使得MRAM適用于汽車，工業(yè)深化涉外，軍事和太空應(yīng)用體系。Everspin總代理英尚微電子提供技術(shù)支持產(chǎn)品解決方案。
 
下面介紹Everspin AEC認(rèn)證的汽車應(yīng)用MRAM
 
MRAM非易失性存儲器幾乎可以在任何汽車系統(tǒng)中提高性能并降低成本

 
•以全總線速度保存數(shù)據(jù)
•意外斷電后立即恢復(fù)狀態(tài)
•提供AEC Q-100合格的1級（-40 / 125°C）和3級（-40 / 85°C）
保護(hù)有價值的數(shù)據(jù)并降低成本MRAM內(nèi)存是保留寶貴的車輛數(shù)據(jù)開展試點，簡化設(shè)計并降低BOM成本的最佳解決方案攜手共進。

 
保護(hù)寶貴數(shù)據(jù)的最佳解決方案
•不需要額外的內(nèi)存用于磨損均衡
•消除了昂貴的電容器
•不再需要功率損耗檢測電路
•簡化系統(tǒng)固件，始終保持非易失性

 
簡化并降低BOM成本
•無限的耐用性推進一步，可安全保存程序代碼
•快速寫入-以系統(tǒng)總線速度工作的內(nèi)存
•非易失性經過，數(shù)據(jù)保持溫度> 20年
•不需要電容器，電池或緩沖液
 
最大化控制系統(tǒng)的數(shù)據(jù)訪問
MRAM在保持非易失性的同時最大化數(shù)據(jù)收集率

 
由于較長的讀/寫周期，耐用性限制而導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失

 
無遺漏數(shù)據(jù)明確了方向，寫入速度與SRAM一樣快的特性，非易失性，無磨損基礎，電源故障期間無數(shù)據(jù)丟失
 
MRAM像SRAM一樣是快速寫入的，而像Flash一樣也是非易失性的還不大，但是不需要頁面擦除或長寫入周期高產。事件數(shù)據(jù)可以以總線速度保存到MRAM，并且即使意外斷電或掉電也可以保持持久性發揮作用。
 
Everspin AEC認(rèn)證的汽車應(yīng)用MRAM

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp	MOQ(pcs) / Tray	MOQ(pcs)/ T&R
4Mb	256Kx16	MR2A16AMYS35	44-TSOP2	3.3V	AEC-Q100 Grade 1	270	1,500
1Mb	64Kx16	MR0A16AMYS35	44-TSOP	3.3V	AEC-Q100 Grade 1	270	1,500
4Mb	512Kx8	MR2A08AMYS35	44-TSOP	3.3V	AEC-Q100 Grade 1	1,500	270
4Mb	512Kx8	MR2A08AMYS35R	44-TSOP2	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	1500	270
1Mb	64Kx16	MR0A16AMYS35R	44-TSOP2	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	270	1500
4Mb	256Kx16	MR2A16AMYS35R	44-TSOP2	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	270	1500
2Mb	128Kx16	MR1A16AMYS35	44-TSOP2	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	270	1500
2Mb	128Kx16	MR1A16AMYS35R	44-TSOP2	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	270	1500

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