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?Everspin MRAM MR25H40VDF替換富士通FRAM MB85RS4MT

2020-09-27 10:19:51

Everspin是設計制造MRAM到市場和應用的翹楚,在這些市場和應用中法治力量,數(shù)據(jù)持久性和完整性全技術方案,低延遲和安全性是至關重要。MR25H40VDF是一個4194,304位MRAM設備系列共享,組織為524,288個8位字信息化。對于必須使用少量I/O引腳快速存儲和檢索數(shù)據(jù)和程序的應用程序,它們是理想的內(nèi)存解決方案生動。它們具有串行EEPROM和串行閃存兼容的讀/寫時序新型儲能,沒有寫延遲并且讀/寫壽命不受限制。與其他串行存儲器不同新品技,使用MR25H40VDF系列範圍,讀取和寫入都可以在內(nèi)存中隨機發(fā)生,而寫入之間沒有延遲紮實做。
 
總覽
MR25H40VDF系列是SPI接口MRAM系列註入新的動力,其存儲器陣列使用芯片選擇(CS\),串行輸入(SI)雙向互動,串行輸出(SO)和串行串行時鐘(SCK)的四針接口邏輯上組織為512Kx8外設接口(SPI)總線效率和安。MRAM實現(xiàn)了SPI EEPROM和SPI Flash組件通用的命令子集。這樣SPI MRAM可以替換同一插槽中的這些組件品牌,并在共享的SPI總線上進行互操作深入開展。與其他串行存儲器替代品相比SPI MRAM具有卓越的寫入速度,無限的耐用性等形式,低待機和運行能力以及簡單技術的開發,可靠的數(shù)據(jù)保留。
 
MR25H40VDF的優(yōu)點
與富士通FRAM相比飛躍,升級到Everspin MRAM具有許多優(yōu)勢:
•更快的隨機訪問操作時間(50MHz/20nstCLK和40MHz/25nstCLK)
•高可靠性和數(shù)據(jù)保留(在125C工作溫度下超過20年)
•無限讀/寫耐久性
•無磨損問題
•掉電時的自動數(shù)據(jù)保護
•競爭定價
•穩(wěn)定的制造業(yè)供應鏈
 
 
普通引腳
MR25H40VDF是組織為512Kx8的4Mb非易失性RAM更高效,采用標稱3.3V電源供電,并且與FRAM兼容重要部署。它提供標準的8引腳Small Flag DFN(DF版)和8引腳DFN(DC版)具體而言,它們具有多種封裝選項,可直接替代SPI-FRAM 8引腳塑料SOP封裝(表格1)智慧與合力。

特性/功能 SPI MRAM (MR2xH40) SPI F-RAM (MB85RS4MT) 注釋
8-pin DFN裸露金屬PAD 除VSS外喜愛,請勿連接其他任何東西 無法使用 MRAM 8引腳DFN封裝的裸露金屬焊盤是NC(無連接)焊盤; 因此開放要求,它可以浮置或連接到VSS向好態勢。 Everspin不建議將MRAM DFN裸露金屬焊盤焊接到PCB上
8-pin 封裝 8-pin DFN (MR2xH40xDC
8-pin DFN (Small Flag)
(MR2xH40xDF)
8-pin plastic SOP  MRAM的8引腳DFN封裝都是引腳兼容的,并且適合Fujitsu 8引腳SOIC封裝服務機製。 在大多數(shù)設計中貢獻力量,它們可以放置在標準SOIC尺寸上使用。 另請參見應用筆記“ EST01253 Everspin的新型2mm裸露焊盤DFN封裝符合SOIC-8和DFN8 PCB布局”

 
SPI MRAM裸露金屬焊盤未連接至芯片,因此應懸空或連接至Vss發行速度。從SPI FRAM遷移時更加堅強,請確保SPI MRAM DFN和Small Flag DFN封裝的裸露金屬焊盤未焊接在PCB上。這樣做會導致SPI MRAM芯片暴露于過多的熱量中奮勇向前,這可能會導致位故障和裕量損失不斷豐富。
 
 
本文關鍵詞: MRAM   

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