STT-MRAM是一種顛覆性技術(shù)，可以在從消費電子和個人計算機到汽車和醫(yī)療通過活化，軍事及太空等許多領(lǐng)域處理，改變產(chǎn)品的性能綠色化發展。它還有潛力在半導(dǎo)體工業(yè)中創(chuàng)造新的領(lǐng)域溝通協調，并使尚未設(shè)想的全新產(chǎn)品成為可能實踐者。STT-MRAM在關(guān)鍵的初始市場上已取代嵌入式技術(shù)（eSRAM模式，eFlash和DRAM）大大提高，并提供65nm及更高的新功能體系流動性。在汽車應(yīng)用中比eFlash具有更高的速度和更低的功耗探索創新，并且比eSRAM密度更高。
 
在便攜式和手機應(yīng)用中實現了超越，它可以消除多芯片封裝（MCP）新產品，提供統(tǒng)一的內(nèi)存子系統(tǒng)，并降低系統(tǒng)功耗以延長電池壽命橋梁作用。在個人計算機中可以代替SRAM用于高速緩存長遠所需，閃存用于非易失性緩存以及PSRAM和DRAM用于高速程序執(zhí)行。
 
如今STT-MRAM可以在許多嵌入式應(yīng)用中替代NOR閃存和SRAM求得平衡。非易失性存儲使用NOR閃存存儲代碼紮實做，并將數(shù)據(jù)傳輸?shù)絊RAM充當(dāng)緩沖區(qū)或高速緩存。例如低端手機同時使用NOR和SRAM至關重要，可以很容易地用單個STT-MRAM芯片替換它們提供深度撮合服務。
 
將STT-MRAM與最新的通用存儲候選進行比較服務品質，STT-MRAM的讀寫時間分別為2到20納秒（ns），而相變RAM（PRAM）的讀取時間為20到50ns事關全面，寫入的時間為30ns表現明顯更佳。此外STT-MRAM的耐久性在>1015時不受限制，而PRAM小于1012技術節能。
 
盡管這不是一項新技術(shù)指導，但PRAM最近受到了相當(dāng)大的關(guān)注。許多領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司都在PRAM上進行投資并開發(fā)自己的IP國際要求。盡管它是令人欽佩的技術(shù)流動性，但與STT-MRAM相比，PRAM具有有限的耐用性和較慢的速度競爭激烈。
 
硫族化物材料通常為Ge2Sb2Te5持續創新，也稱為GST，用于PRAM中進行數(shù)據(jù)存儲空白區。PRAM通過施加熱量來利用硫?qū)僭鼗颎ST的結(jié)晶態(tài)和非晶態(tài)之間的可逆相變協調機製，其中結(jié)晶GST具有低電阻率，非晶GST具有高電阻率形勢。數(shù)據(jù)“0”對應(yīng)于結(jié)晶態(tài)實踐者，而數(shù)據(jù)“1”對應(yīng)于非晶態(tài)。
 
狀態(tài)之間的切換時間大于20ns約定管轄，這意味著PRAM無法取代SRAM數據，因為它的運行速度相當(dāng)慢。重置位狀態(tài)所需的時間必須較長發揮。如果不是則相變材料冷卻太快而無法達到結(jié)晶狀態(tài)顯著。由于相的不斷變化和施加到其上的熱量，會導(dǎo)致材料劣化開放以來，因此耐久性有限占。
 
RRAM或電阻式存儲器依賴于電場引起的電阻變化。與PRAM相比提供了有力支撐，它處于更早期的發(fā)展?fàn)顟B(tài)組建，但是在可靠性和耐用性方面也遭受類似的問題。此外許多建議的RRAM材料中涉及的切換機制還沒有得到很好的理解效果較好。
 
FRAM或鐵電RAM使用鐵電材料存儲極化重要的意義。它遭受有限的讀取耐久性和破壞性讀取過程。同樣它的耐用性約為1012個周期等多個領域，雖然適用于閃存更換再獲，但不能用作通用內(nèi)存。
 
Everspin Technologies，Inc是設(shè)計制造和商業(yè)銷售離散和嵌入式磁阻RAM（MRAM）和自旋傳遞扭矩MRAM（STT-MRAM）的翹楚體驗區，其市場和應(yīng)用領(lǐng)域涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性增多，低延遲和安全性至關(guān)重要。Everspin MRAM廣泛應(yīng)用在數(shù)據(jù)中心有望，云存儲和能源及工業(yè)和汽車市場中進一步推進。Everspin代理商英尚微電子支持提供產(chǎn)品應(yīng)用解決方案等技術(shù)支持。  
 

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