XRAM是一種新的存儲器體系結(jié)構(gòu)發力，旨在以具有競爭力的價格提供高密度和高性能RAM。XRAM使用先進(jìn)的DRAM技術(shù)和自刷新體系結(jié)構(gòu)對外開放，顯著提高了存儲器密度助力各行，性能并簡化了用戶界面增產。
 
XM8A51216是星憶存儲科技公司生產(chǎn)的一顆16位寬512K（512*16足了準備，即1M字節(jié)）容量的CMOS靜態(tài)內(nèi)存芯片全面協議。該國產(chǎn)SRAM芯片具有如下幾個特點：
 
?高速發展機遇。具有最高訪問速度10/12ns各有優勢。
?低功耗效果較好。
?TTL電平兼容重要的意義。
?全靜態(tài)操作。不需要刷新和時鐘電路等多個領域。
?三態(tài)輸出再獲。
?字節(jié)控制功能。支持高/低字節(jié)控制應用擴展。
 
XM8A51216功能框圖
   
圖中A0~18為地址線體驗區，總共19根地址線（即2^19=512K，1K=1024）發揮效力；DQ0~15為數(shù)據(jù)線新格局，總共16根數(shù)據(jù)線。CEn是芯片使能信號安全鏈，低電平有效顯示；OEn是輸出使能信號，低電平有效真正做到；WEn是寫使能信號科普活動，低電平有效；BLEn和BHEn分別是高字節(jié)控制和低字節(jié)控制信號強化意識；


XM8A51216在功能上等效于異步SRAM長期間，是一種高性能8Mbit CMOS存儲器，組織為512K字乘16位和1024K字乘8位現場，支持異步SRAM存儲器接口高端化。代理商英尚微電子支持產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)支持及解決方案。
 
要寫入設(shè)備我有所應，請將芯片使能（CE）和寫使能（WE）輸入設(shè)為低電平提單產。如果字節(jié)低使能（BLE）為低，則來自I/O引腳（DQ0至DQ7）的數(shù)據(jù)被寫入地址引腳（A0至A18）上指定的位置能力建設。如果字節(jié)高使能（BHE）為低電平關註，則來自I/O引腳（DQ8至DQ15）的數(shù)據(jù)將寫入地址引腳（A0至A18）上指定的位置。要從器件讀取無障礙，請將芯片使能（CE）和輸出使能（OE）設(shè)為低電平，同時將寫入使能（WE）設(shè)為高電平快速融入。如果字節(jié)低使能（BLE）為低認為，則地址引腳指定的存儲器位置中的數(shù)據(jù)出現(xiàn)在DQ0至DQ7上。如果字節(jié)高使能（BHE）為低增強，則來自存儲器的數(shù)據(jù)出現(xiàn)在DQ8到DQ15上重要意義。有關(guān)讀取和寫入模式的完整說明，請參見第8頁的真值表更加廣闊。
 
取消選擇器件（CE）規劃，禁用輸出（OEHIGH）提高，禁用BHE和BLE（BHE，BLEHIGH）或以下操作時進入當下，輸入或輸出引腳（DQ0至DQ15）處于高阻抗?fàn)顟B(tài)寫操作（CE和WELOW）紮實。突發(fā)模式引腳（MODE）定義突發(fā)序列的順序。當(dāng)置為高電平時重要作用，選擇交錯的突發(fā)序列等地。當(dāng)拉低時，選擇線性突發(fā)序列尤為突出。



本文關(guān)鍵詞：SRAM

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