“持久性存儲器”通常是指駐留在存儲器總線上的高性能問題分析、字節(jié)可尋址、非易失性存儲器設備。MRAM（磁性只讀存儲器）和FRAM（鐵電RAM）都聲稱具有相似的性能優(yōu)勢：低電壓操作更高要求、長壽命和非常高的速度空間廣闊。他們以不同的方式實現(xiàn)這些目標競爭力，盡管在每種情況下切實把製度，性能突破背后都有創(chuàng)新的材料技術主要抓手。首創(chuàng)的MRAM將數(shù)據(jù)位存儲為存儲單元中電阻的變化工藝技術，這是通過將某些特殊材料暴露在磁場中而產(chǎn)生的效率。FRAM與MRAM有很大不同：它在鐵電材料中將位存儲為固定電位（電壓）。下面介紹一款可替代FRAM的Serial MRAM芯片MR25H256ACDF近年來。
 
MR25H256ACDF是一種串行MRAM講道理，其存儲器陣列邏輯組織為32Kx8，使用串行外圍接口的片選(CS)技術先進、串行輸入(SI)更多的合作機會、串行輸出(SO)和串行時鐘(SCK)四個引腳接口(SPI)總線。串行MRAM實現(xiàn)了當今SPI EEPROM和閃存組件通用的命令子集認為，允許MRAM替換同一插槽中的這些組件并在共享SPI總線上進行互操作服務好。與可用的串行存儲器替代品相比，串行MRAM提供卓越的寫入速度反應能力、無限的耐用性共謀發展、低待機和運行功率以及更可靠的數(shù)據(jù)保留。

MR25H256A Product Options
Grade	Temperature	Package
Industrial	-40~85℃	8-DFN Small Flag
Automotive AEC-Q100 Grade 3	-40~85℃	8-DFN Small Flag
Automotive AEC-Q100 Grade 1	-40~125℃	8-DFN Small Flag

 
特征
•無寫入延遲
•無限寫入耐久性
•數(shù)據(jù)保留超過20年
•斷電時自動數(shù)據(jù)保護
•塊寫保護
•快速結構重塑、簡單的SPI接口聽得懂，時鐘速率高達40MHz
•2.7至3.6伏電源范圍
•低電流睡眠模式
•工業(yè)和汽車1級和3級溫度
•提供8-DFN Small Flag RoHS合規(guī)性封裝。
•直接替代串行EEPROM、閃存便利性、FeRAM
•工業(yè)級和AEC-Q1001級和3級選項
•濕度敏感度MSL-3
 
Everspin Technologies, Inc是設計制造和商業(yè)運輸分立和嵌入式磁阻 RAM (MRAM) 和自旋轉移扭矩 MRAM (STT-MRAM) 的翹楚全面展示，面向數(shù)據(jù)持久性和應用程序的市場和應用。完整性深刻認識、低延遲和安全性至關重要核心技術。Everspin 在數(shù)據(jù)中心、云存儲主動性、能源創造性、工業(yè)、汽車和運輸市場部署了超過 1.2 億個 MRAM 和 STT-MRAM 產(chǎn)品基礎，為MRAM 用戶奠定了最強大性能、增長最快的基礎。
 
 
本文關鍵詞：MR25H256ACDF  

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