富士通FRAM是新一代非易失性存儲器就能壓製，其性能優(yōu)于E²PROM和閃存等現(xiàn)有存儲器，功耗更低流程，提供更高的速度和耐多次讀寫操作。FRAM是非易失性的，但在RAM等其他方面運(yùn)行重要性。這種突破性的存儲介質(zhì)用于各種應(yīng)用加強宣傳，包括智能卡、RFID科普活動、安全和許多其他需要高性能非易失性存儲器的應(yīng)用創新延展。本篇文章代理商英尚微電子介紹富士通串行FRAM存儲器64K MB85RS64。
 
■描述
MB85RS64是一款8,192字×8位配置的FRAM（鐵電存儲器）芯片長期間，采用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲單元基本情況。MB85RS64采用串行外設(shè)接口（SPI）。MB85RS64能夠在不使用備用電池的情況下保留數(shù)據(jù)高端化，這是SRAM所需要的力量。
 
MB85RS64采用的存儲單元可進(jìn)行10¹⁰次讀寫操作，相比Flash存儲器和E²PROM支持的讀寫操作次數(shù)有顯著提升提單產。MB85RS64不像閃存和E²PROM那樣需要很長時間來寫入數(shù)據(jù)深入實施，并且MB85RS64不需要等待時間。
 
■特點(diǎn)
•位配置：8,192字×8位
•Serial Peripheral Interface:SPI對應(yīng)SPI模式0(0,0)和模式3(1,1)
•工作頻率：20MHz（最大）
•高耐用性：100億次讀/寫
•數(shù)據(jù)保留：10年(+85℃)
•工作電源電壓：2.7V至3.6V
•低功耗:工作電源電流1.5(TBD)mA(Typ@20MHz)待機(jī)電流10μA(TBD)(Typ)
•工作環(huán)境溫度范圍：-40℃至+85℃
•封裝：8針?biāo)芰蟂OP(FPT-8P-M02)符合RoHS
 
引腳分配
   
獨(dú)立FRAM提供了將 FRAM 同化到任何需要高速非易失性存儲器的系統(tǒng)的靈活性關註。 FRAM不需要電池來備份其數(shù)據(jù)研究進展，從而在整個系統(tǒng)中節(jié)省了大量成本和電路板空間。它可以用于存儲設(shè)備的設(shè)置連日來、配置快速融入、狀態(tài)，并且數(shù)據(jù)可以在以后使用系統。這些存儲的數(shù)據(jù)可用于重置設(shè)備增強、分析上次狀態(tài)和激活恢復(fù)操作。逐字節(jié)隨機(jī)訪問使內(nèi)存管理更有效。
 
FRAM只是一種像ram一樣運(yùn)行的高速非易失性存儲器更加廣闊。這允許程序員根據(jù)需要靈活地分配ROM和RAM 存儲器映射規劃。它為最終用戶創(chuàng)造了在底層對FRAM進(jìn)行編程以根據(jù)他們的個人進(jìn)行定制的機(jī)會.


本文關(guān)鍵詞： FRAM  SPI FRAM

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