Everspin了解客戶在工業(yè)市場中對長期數(shù)據(jù)保留和極端溫度支持等功能在通常惡劣的工業(yè)環(huán)境中非常重要不可缺少。該技術(shù)的固有耐用性通過避免使用其他非易失性存儲器技術(shù)所需的糾錯碼和磨損均衡方案來簡化和加速產(chǎn)品開發(fā)探索。
 
Everspin的16兆位非易失性存儲芯片MR4A16BMA35 MRAM專為需要極高數(shù)據(jù)可靠性和速度的應(yīng)用而設(shè)計，具有市場上最快的非易失性存儲器、對稱的讀/寫性能和無限的耐用性深度，使系統(tǒng)設(shè)計人員受益匪淺。這些內(nèi)存功能可確保自動化設(shè)計人員在每次發(fā)生電源中斷時都能確定性且安全地保留過程數(shù)據(jù)提升。除了性能之外應用前景，該技術(shù)還允許無電池生態(tài)設(shè)計。是一款適用于自動化控制器的存儲器芯片積極拓展新的領域。
 
Everspin MR4A16BMA35R容量為16Mb配套設備，數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)：1Mb*16，總線速度：35ns工作電壓：3.3V工作溫度：C,M（-0~+70攝氏度）16位并行總線接口相對開放，數(shù)據(jù)保持期長達(dá)20年以上而不會丟失推進高水平，并會在掉電時由低壓抑制電路自動提供保護(hù)，以防止在非工作電壓期間寫入拓展應用。這款并行mram器件能夠在商業(yè)級（0至+70℃）生產創效、工業(yè)級（-40至+85℃）與擴展級（-40至+105℃）溫度范圍內(nèi)工作，并在整個溫度范圍內(nèi)保持高度可靠的數(shù)據(jù)存儲能力管理。MR4A16B采用48引腳球柵陣列(BGA)小型封裝和54引腳微小外形封裝(TSOPII)優化上下。Everspin代理英尚微電子供樣品測試及技術(shù)支持。
 
此款并口MRAM存儲器真正無限次擦除使用戰略布局，最長的壽命和數(shù)據(jù)保存時間超過20年的非揮發(fā)特性事關全面，可取代多種存儲器，集閃存狀態、SRAM技術節能、EEPROM以及BBSRAM的功能于一身，采用MRAM取代電池供電的SRAM方案廣泛認同，解決了電池組裝國際要求、可靠性以及責(zé)任方面的問題。

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