在最近幾年，就有許多新技術(shù)被稱(chēng)為閃存殺手共創美好。有些人甚至提出了更高的標(biāo)準(zhǔn)推動並實現，目標(biāo)不亞于通用內(nèi)存，一種可以進(jìn)入內(nèi)存層次結(jié)構(gòu)的方法覆蓋範圍，最終取代 DRAM 和 SRAM信息化。這很可能會(huì)發(fā)生，但與此同時(shí)實踐者，閃存的統(tǒng)治仍在繼續(xù)取得明顯成效，未來(lái)仍不明朗。

MRAM基于磁隧道結(jié)(MTJ)的特性數據，與FRAM的鐵電材料非常相似創新的技術，MTJ可以根據(jù)（磁）極化在低電阻和高電阻狀態(tài)之間切換細(xì)胞。MTJ的持續(xù)極化狀態(tài)可以通過(guò)磁場(chǎng)（需要相當(dāng)高的電流）或通過(guò)自旋極化電流（可以低得多）來(lái)改變顯著。前一種技術(shù)稱(chēng)為T(mén)oggle MRAM快速增長，而后者稱(chēng)為STT-MRAM。
 
在新興NVM市場(chǎng)中的當(dāng)前位置來(lái)看性能，MRAM很可能正在取代NOR閃存（甚至可能是SLC NAND閃存）初步建立。它具有許多FRAM優(yōu)勢(shì)（高寫(xiě)入速度、低能量供給、高耐用性）的方法，沒(méi)有相關(guān)的縮放問(wèn)題（當(dāng)前自旋轉(zhuǎn)移矩(STT)MRAM實(shí)施存在于28nm工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)上，預(yù)計(jì)短期內(nèi)會(huì)進(jìn)一步縮小規(guī)模.
 
早在2016年進行探討，Everspin就通過(guò)其Quad SPI切換MRAM存儲(chǔ)器向嵌入式開(kāi)發(fā)人員廣泛使用了MRAM技術(shù)落到實處。從那時(shí)起，產(chǎn)品組合不斷發(fā)展最新，一個(gè)1Gbit 28nm STT-MRAM與DDR接口@1333MT/s更證明該技術(shù)確實(shí)可以擴(kuò)展（速度和密度）并提供可行的閃存的替代品技術創新。

本文關(guān)鍵詞：MRAM,Everspin,FRAM

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