Microchip的電池供電SRAM器件具有真正的無(wú)限讀寫周期、更低的待機(jī)電流必然趨勢、更寬的電壓范圍充分發揮，并且可以通過SPI或SDI串行總線訪問以實(shí)現(xiàn)快速數(shù)據(jù)傳輸新技術。通過簡(jiǎn)單地添加電池信息，NVSRAM即使在斷電后也可以保留數(shù)據(jù)處理。雖然FRAM是用于長(zhǎng)期數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的存儲(chǔ)器帶動產業發展，但NVSRAM非常適合將數(shù)據(jù)移入和移出應(yīng)用程序發揮重要作用，而無(wú)需擔(dān)心讀寫周期廣泛關註、磨損和功耗善於監督。
 
表1總結(jié)了FRAM和NVSRAM之間的主要區(qū)別。
 

	NVSRAM(SPI接口)	FRAM(SPI接口)
電源電壓	2.5-5.5V	2-3.6V
待機(jī)電流	4μA	90μA
最大數(shù)據(jù)速度	20MHz	40MHz
串行雙接口	Yes	No
無(wú)限讀/寫周期	Yes	No
數(shù)據(jù)保留	直到電池耗盡	10年
溫度范圍	工業(yè)：-40°C 至 +85°C 儲(chǔ)存：-65°C 至 +150°C	工業(yè)：-40°C 至 +85°C 儲(chǔ)存：-55°C 至 125°C
封裝	8-Lead SOIC 8-Lead PDIP 8-Lead TSSOP	8-Pin SOIC
價(jià)格	低	高

 
NV-SRAM的優(yōu)勢(shì)
 
有幾個(gè)關(guān)鍵特性使NVSRAM成為比FRAM技術(shù)更好的解決方案就能壓製。
•無(wú)限寫入周期：NVSRAM具有真正的無(wú)限寫入周期更合理，而FRAM存儲(chǔ)單元會(huì)隨著每次寫入而磨損。
•非破壞性讀刃Ч?。篎RAM存儲(chǔ)器的工作方式是有所應，對(duì)于每次讀取，數(shù)據(jù)都會(huì)被破壞合作關系，并且必須將其寫回單元敢於監督。這實(shí)際上計(jì)入了內(nèi)存的寫入周期數(shù)。但是NVSRAM單元的工作方式意味著沒有破壞性讀取結構，并且寫入周期的數(shù)量確實(shí)是無(wú)限的重要的作用。
•數(shù)據(jù)保留：FRAM可以存儲(chǔ)數(shù)據(jù)十年。NVSRAM數(shù)據(jù)保留僅受所選電池的限制規模最大。
•模式寄存器：NVSRAM使用模式寄存器來(lái)選擇操作模式：字節(jié)穩中求進、頁(yè)或順序。默認(rèn)狀態(tài)是連續(xù)的最深厚的底氣，其中內(nèi)部地址計(jì)數(shù)器自動(dòng)遞增協同控製，頁(yè)面邊界被忽略。在頁(yè)面模式下，讀取和寫入限制為一頁(yè)利用好。當(dāng)?shù)竭_(dá)頁(yè)面的最后一個(gè)地址時(shí)深入各系統，內(nèi)部地址計(jì)數(shù)器將翻轉(zhuǎn)到頁(yè)面的開頭。在字節(jié)模式下系列，只能讀取或?qū)懭胍粋€(gè)字節(jié)到設(shè)備

本文關(guān)鍵詞：NVSRAM,FRAM,SRAM

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