隨著自旋轉(zhuǎn)移矩MRAM(STT-MRAM)的出現(xiàn)，MRAM邁出了商業(yè)化的重要一步註入新的動力。
 
第一個(gè)商業(yè)化的磁隨機(jī)存儲(chǔ)器MRAM產(chǎn)品是飛思卡爾半導(dǎo)體公司于2006年生產(chǎn)的4Mb容量Toggle-MRAM不要畏懼，該部門是Everspin的前身空間載體。之后Everspin公司推出了具有SRAM速度和閃存結(jié)構(gòu)的非易失的Toggle-MRAM明確相關要求，其16位32Mb并行MRAM具有最高35ns的寫入周期時(shí)間不久前，工作溫度范圍為-40~125℃範圍，適用于工業(yè)和汽車應(yīng)用數字化。Everspin在2012年就生產(chǎn)出了首個(gè)商業(yè)級(jí)的64Mbit的STT-MRAM存儲(chǔ)器芯片并在2017年大批量生產(chǎn)了256Mb DDR3 STT-MRAM覆蓋範圍，并于2017年集成了40nm CMOS優化程度，并在2019年批量生產(chǎn)了28nm CMOS上的1Gb DDR4 STT-MRAM。
 
Everspin在2022年5月份推出了用于工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)和嵌入式系統(tǒng)的 xSPI又進了一步，Everspin 的新 xSPI  MRAM產(chǎn)品系列基于擴(kuò)展的串行外設(shè)接口多種場景，這是用于非易失性存儲(chǔ)設(shè)備的最新 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)。它基于 Everspin 獨(dú)特的工業(yè) STT MRAM 技術(shù)規劃。這些產(chǎn)品提供高性能擴大公共數據、多 I/O、SPI 兼容性帶動擴大，并具有高速更加堅強、低引腳數(shù)的 SPI 兼容總線接口，時(shí)鐘頻率高達(dá) 200 MHz性能。這些持久性內(nèi)存 MRAM 設(shè)備在單個(gè) 1.8V 電源上運(yùn)行初步建立，并通過(guò)八個(gè) I/O 信號(hào)提供高達(dá) 400MBps 的讀取和寫入速度。開(kāi)啟了通用存儲(chǔ)器應(yīng)用解決方案的新紀(jì)元供給，取代了 SRAM的方法、BBSRAM、NVSRAM 和 NOR 器件等產(chǎn)品進行探討，面向工業(yè)自動(dòng)化落到實處、過(guò)程控制、仿真最新、汽車和運(yùn)輸技術創新、游戲以及更廣泛的工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)。
 
高通正在加速研究STT-MRAM技術(shù)重要作用。2015年項(xiàng)目研究員Seung H. Kang發(fā)布了一款8Mbit混合STT-MRAM的SOC芯片持續向好。在沒(méi)有軟錯(cuò)誤的情況下習慣，工作頻率可以達(dá)到500MHZ。在40nm工藝下進展情況，適用于混合STT-MRAM的SOC的積極性，若工藝尺寸可以降到28nm，那么其性能可以與SRAM相媲美至關重要。
 
東芝公司用STT-MRAM代替SRAM不久前，使得微處理器中的高速緩存功耗降低了近60%。日本超低壓元器件技術(shù)研究聯(lián)盟（LEAP）在VLSI Symposia上同樣實(shí)現(xiàn)了用STT-MRAM對(duì)傳統(tǒng)SRAM的替換提升行動。傳統(tǒng)的STT-MRAM單純采用蝕刻技術(shù)來(lái)制造能力建設，但這種技術(shù)會(huì)由于MTJ尺寸的偏差導(dǎo)致性能偏差。因此研究進展，為解決MTJ制造工藝中的尺寸偏差問(wèn)題創新內容，LEAP研究出了全新的蝕刻技術(shù)，顯著降低了MTJ制造過(guò)程中尺寸不均勻的問(wèn)題力量。
 
霍尼韋爾和Cobham（前身為Aeroflex）等其他公司也推出了自己的MRAM產(chǎn)品我有所應，它們同樣使用Toggle-MRAM單元和SRAM結(jié)構(gòu)。其中霍尼韋爾采用特殊抗輻照的150nm 絕緣體上硅（silicon oninsulator深入實施，SOI）CMOS技術(shù)至關重要，使其MRAM產(chǎn)品在衛(wèi)星和其他航天應(yīng)用中具有很高的可靠性和輻射抗性。
 
在過(guò)去幾年里效果，包括臺(tái)積電有所應、英特爾、三星合作關系、SK海力士等晶圓代工廠和IDM著力提升，相繼大力投入MRAM研發(fā)。

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本文關(guān)鍵詞：MRAM,STT-MRAM,Everspin

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