SRAM是隨機尋址數(shù)據(jù)的最佳選擇
2022-07-11 09:58:16
外部SRAM作為存儲中等大小的數(shù)據(jù)模塊的緩沖表現(xiàn)良好〈龠M進步?梢允褂猛獠縎RAM作為不適合片內(nèi)存儲器且反應(yīng)時間又低于SDRAM的數(shù)據(jù)緩存註入新的動力。還可以將多個SRAM相組合以增加容量更加廣闊。
SRAM也是隨機尋址數(shù)據(jù)的最佳選擇信息化技術。很多SRAM器件都可以存取無序地址的數(shù)據(jù)傳遞,反應(yīng)時間與存取有序地址的數(shù)據(jù)一樣短線上線下,而SDRAM在這一點上做得并不好空間載體。SRAM是大型LUT的理想存儲器種類責任製,能夠儲存諸如對于片內(nèi)存儲器來說過于巨大的色彩轉(zhuǎn)換運算法則數(shù)據(jù)十分落實。
外部SRAM作為執(zhí)行存儲器為無緩存的CPU工作時表現(xiàn)相對良好。當CPU沒有緩存來緩沖其它種類存儲器的高反應(yīng)時間時規則製定,外部SRAM的低反映時間特性有助于改善CPU的性能製造業。
為使外部SRAM器件達到出最佳性能,建議遵循使用與連接的主系統(tǒng)控制器的接口數(shù)據(jù)帶寬相同的SRAM關規定。如果管腳使用或板上空間的限制高于系統(tǒng)性能要求發展基礎,可以使用較連接的控制器的數(shù)據(jù)帶寬小一些的SRAM設(shè)備,以便減少管腳數(shù)量并減少PCB板上可能的存儲器數(shù)量安全鏈。然而顯示,這種變化將導(dǎo)致降低SRAM接口的性能。
國產(chǎn)SRAM芯片廠家偉凌創(chuàng)芯
SCLPSRAC1是一款可用于外擴MCU的靜態(tài)SRAM真正做到,容量為512Kbit的Serial SRAM科普活動,它在內(nèi)部組織為64K字,每個字8位強化意識。最大時鐘頻率20MHz長期間,提供高速性能和低功耗。電源電壓范圍為2.7V~3.6V現場,工作電流最大2mA@1MHz高端化,待機電流最大15µA@25℃,可在-40℃至+85℃(工業(yè)級)的溫度范圍內(nèi)工作我有所應,并采用節(jié)省空間的8-TSSOP標準封裝封裝提單產。代理商英尚微支持提供樣品測試及產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)支持。
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