Everspin的xSPI STT-MRAM產(chǎn)品系列提供高性能、多I/O更高效、SPI兼容性表示，并具有高速技術交流、低引腳數(shù)SPI兼容總線接口選擇適用，時鐘頻率高達200MHz更合理。這些持久存儲器MRAM設(shè)備在單個1.8V電源上運行更加廣闊，并通過八個I/O信號為讀取和寫入提供高達400MBps的數(shù)據(jù)振奮起來。
 
EM064LX產(chǎn)品系列的主要一般優(yōu)勢。第一個也是最突出的好處是速度更適合。EMxxLX系列支持以總線速度進行讀寫訪問高效，在八進制DTR配置中可以達到400MB/s。在實踐中能否實現(xiàn)這一速度很大程度上取決于主機處理器的性能要素配置改革。盡管如此體系，即使在更常見的（無論如何對于深度嵌入式應(yīng)用）和保守的Quad SPI配置中，也獲得了接近60MB/s的對稱讀/寫速度帶動產業發展，與典型的NOR和NAND性能相去甚遠責任製。
 
MRAM的另一個明顯優(yōu)點是其低能耗。根據(jù)EM064LX數(shù)據(jù)表倍增效應，在DTR八進制配置和200 MHz時鐘速度下規則製定，有效寫入電流為155mA灮詹呗?？焖俜祷匕j(luò)線計算得出每字節(jié)0.155 A x 1.8 V/400 MB/s=0.7 nJ的寫入能量關規定。這大約是NAND的10倍發展基礎，NOR的200倍。
 
最后建強保護，MRAM的特點是幾乎無限的耐久性同期，這大大簡化了軟件設(shè)計。內(nèi)存耐久性是指在保持一組原始規(guī)范（如最大錯誤率和加載/編程/擦除時間）的同時可以執(zhí)行的編程/擦除周期數(shù)使命責任。有限的續(xù)航能力是閃存管理軟件復(fù)雜性的主要原因之一效果。在文件系統(tǒng)級別，需要使用磨損均衡算法合規意識，以確保寫入操作在所有塊中均勻分布密度增加。這對于防止擋塊過早磨損，最終使整個設(shè)備無法使用至關(guān)重要創新內容。在更高級別上機遇與挑戰，從早期設(shè)計階段到驗證階段以及之后，必須使用診斷工具處理有限的耐久性問題探討，以便在現(xiàn)場監(jiān)測設(shè)備不負眾望。這同樣適用于裸閃存和托管閃存。更多產(chǎn)品詳情請聯(lián)系代理RAMSUN.

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