目前連日來，新興的存儲技術(shù)旨在集成SRAM的開關(guān)速度和DRAM的高密度特性的發生，并具有Flash的非易失特性發展機遇。新型存儲技術(shù)可主要分為相變存儲器(PCM)、磁變存儲器（MRAM）效果較好、阻變存儲器（RRAM/ReRAM）以及鐵電存儲器（FRAM/FeRAM）重要的意義。
 
相變存儲器通過相變材料相態(tài)的變化獲得不同的電阻值開放以來，主要適用于大容量的獨立式存儲應(yīng)用占。磁變存儲器通過磁性材料中磁籌的方向變化改變電阻，主要適用于小容量高速低功耗的嵌入式應(yīng)用提供了有力支撐。
 
而阻變存儲器則利用阻變材料中導(dǎo)電通道的產(chǎn)生或關(guān)閉實現(xiàn)電阻變化激發創作，目前主要用于物理不可克隆芯片（PUF），并有可能在未來的人工智能實事求是、存算一體等領(lǐng)域發(fā)揮作用進行探討。此外，近年來最新，存算一體正逐漸成為解決當(dāng)前存儲挑戰(zhàn)的熱門趨勢之一。
 
上述新型存儲技術(shù)都具備一些共性處理方法，比如具有非易失性或持久性的特點重要作用，而所有的主流非易失性存儲器均源自于只讀存儲器（ROM）技術(shù)；部分技術(shù)可通過工藝縮小尺寸習慣，從而降低成本充足；無需使用閃存所需的塊擦除/頁寫入方法，從而大大降低了寫入耗電需求的積極性，同時提高了寫入速度綠色化發展。下表為新型存儲技術(shù)關(guān)鍵指標(biāo)對比：
 
新型存儲技術(shù)關(guān)鍵指標(biāo)對比

指標(biāo)	PCM	MRAM	RRAM	FRAM
非易失性	是	是	是	是
工作電壓	較高(>3V)	較低(<1.5V)	較低(<1.5V)	/
多級	是	否	是	是
持久性	良	更佳	更佳	/
兼容性	與CMOS兼容	與CMOS兼容	與CMOS兼容	與CMOS兼容
代表公司	英特爾、美光	Everspin	Crossbar	英飛凌用上了、富士通半導(dǎo)體
商用領(lǐng)域	混合固態(tài)盤、持久內(nèi)存	嵌入式	/	IC卡關註、MCU

本文關(guān)鍵詞：MRAM,SRAM,FRAM

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