nvSRAM使用傳統(tǒng)的捕獲電荷技術(shù)進(jìn)行非易失性存儲(chǔ)開展試點。由于溫度和過(guò)多的寫(xiě)入周期會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)損耗，因此數(shù)據(jù)可能會(huì)泄漏。
 
    Everspin代理英尚微提供的MRAM將提供最具成本效益的非易失性RAM解決方案智能化。nvSRAM是通過(guò)將標(biāo)準(zhǔn)的6晶體管SRAM與每個(gè)單元中的非易失性EEPROM存儲(chǔ)元件相結(jié)合來(lái)構(gòu)建的的特點。單元的總復(fù)雜性為12個(gè)晶體管去突破。Everspin MRAM是使用一個(gè)簡(jiǎn)單得多的1晶體管建強保護、1磁性隧道結(jié)單元構(gòu)建的足夠的實力。簡(jiǎn)單的Everspin MRAM單元提高了制造效率和可靠性適應性。
 
    nvSRAM的可靠性不僅取決于存儲(chǔ)器芯片堅實基礎，還取決于外部VCAP電容器的質(zhì)量傳遞。必須仔細(xì)選擇電容器，以確鄙钊腙U釋？煽康墓β逝判蛳嚓P性。
 
    MRAM將磁性隧道結(jié)技術(shù)用于非易失性存儲(chǔ)器。數(shù)據(jù)在高溫下不會(huì)泄漏物聯與互聯，并且在該技術(shù)中沒(méi)有限制讀取穩定、寫(xiě)入或電源循環(huán)次數(shù)的磨損機(jī)制。125℃條件下的數(shù)據(jù)保留期優(yōu)于20年供給。
 
    使用MRAM的每次寫(xiě)入都是即時(shí)非易失性的優勢與挑戰，至少持續(xù)20年。不存在從易失性存儲(chǔ)器單元到非易失性存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)傳輸解決方案，也不存在外部電容器或備用電池趨勢。消除了外部組件、高度可靠的數(shù)據(jù)保留和35ns SRAM兼容的讀/寫(xiě)訪問(wèn)時(shí)間上高質量，使Everspin MRAM成為在不影響系統(tǒng)性能的情況下取代nvSRAM的可行候選者一站式服務。
 

本文關(guān)鍵詞：MRAM,nvSRAM
 

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