目前，實(shí)現(xiàn)存算一體有兩種存儲(chǔ)器件的選擇有兩種廣度和深度。
 
    第一種是基于易失性存儲(chǔ)器提高，例如DRAM和SRAM首次，但由于DRAM制造工藝和邏輯計(jì)算單元的制造工藝不同發展契機，無(wú)法實(shí)現(xiàn)良好的片上融合全過程，而SRAM難以進(jìn)行片上大規(guī)模集成特點，同時(shí)強大的功能，因?yàn)镾RAM和DRAM是易失性存儲(chǔ)器，需要持續(xù)供電來(lái)保存數(shù)據(jù)服務好，仍存在功耗的問(wèn)題新趨勢。
 
    第二種是結(jié)合非易失性新型存儲(chǔ)器。新型存儲(chǔ)器通過(guò)阻值變化來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)共謀發展，而存儲(chǔ)器加載的電壓等于電阻和電流的乘積學習，相當(dāng)于每個(gè)單元可以實(shí)現(xiàn)一個(gè)乘法運(yùn)算，再匯總相加便可以實(shí)現(xiàn)矩陣乘法聽得懂。在這種情況下應用優勢，同一單元就可以完成數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和計(jì)算，消除了數(shù)據(jù)訪(fǎng)存帶來(lái)的延遲和功耗全方位，是真正意義上的存算一體高效節能。
 
    另外，傳統(tǒng)存儲(chǔ)器所具有的易失性大局、微縮性差等問(wèn)題可以被新型非易失性存儲(chǔ)器很好地解決新創新即將到來。目前可用于存算一體的成熟存儲(chǔ)器有NOR FLASH、SRAM有序推進、DRAM設施、RRAM、MRAM等堅定不移。

本文關(guān)鍵詞：SRAM,MRAM

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