16Mb并口STT-MRAM芯片S3R1608V1M
2023-10-19 09:26:34
Netsol的STT-MRAM芯片具有非易失特性和幾乎無限的耐用性的過程中。對于需要使用最少數(shù)量的引腳來快速存儲、檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序而言前沿技術,是最為理想的存儲器重要組成部分。適用于工業(yè)設(shè)備中的代碼存儲、數(shù)據(jù)記錄能力建設、備份和工作存儲器空間廣闊「黝I域?商娲鶩lash奮勇向前、FeRAM不斷豐富、nvSRAM等,具有卓越的性能和非易失特性組建。
S3R1608V1M是自旋轉(zhuǎn)移力矩磁阻隨機存取存儲器(STT-MRAM)各有優勢。數(shù)據(jù)始終是非易失性的,該設(shè)備可以取代具有相同功能的FRAM重要的意義、低功耗SRAM或nvSRAM持續,并有助于簡化系統(tǒng)設(shè)計。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無限的續(xù)航特性再獲,它適用于工業(yè)設(shè)計中的代碼存儲產品和服務、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲器和工作存儲器激發創作。
S3R1608V1M具有并行異步接口的完全隨機存取存儲器前景。支持x8 I/O模式實事求是。x8 I/O模式的頁面大小分別為4個字和8個字進行探討。采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)44TSOP2、54TSOP2和48FBGA封裝服務水平。這些封裝與類似的低功耗易失性和非易失性產(chǎn)品兼容最新。該設(shè)備提供商業(yè)(0℃至70℃)和工業(yè)(-40℃至85℃)工作溫度范圍。
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