繼以DRAM為代表的高帶寬存儲器（HBM）之后，人工智能（AI）存儲器半導(dǎo)體領(lǐng)域的NAND閃存市場競爭愈演愈烈推廣開來。
 
    三星電子和SK海力士正在加大力度提升NAND技術(shù)和產(chǎn)品的性能和容量推動，以應(yīng)對不斷增長的人工智能需求。于4月開始量產(chǎn)業(yè)界首個1太比特(Tb)三層單元(TLC)第9代V-NAND資源配置，彰顯其領(lǐng)先技術(shù)信息。
 
    在激烈的分層競爭中，三星電子繼主打產(chǎn)品236層第八代V-NAND之后特性，又推出了290層第九代V-NAND傳承，占據(jù)了市場主動。
 
    第九代V-NAND采用新一代NAND閃存接口Toggle5.1建言直達，數(shù)據(jù)輸入輸出速度可達(dá)每秒3.2千兆位（Gbps）多種，較第八代V-NAND提升33%。
 
    三星電子計劃以其第9代V-NAND引領(lǐng)AISSD市場充分發揮，旨在第二季度開發(fā)并提供超高容量64太字節(jié)(TB)SSD樣品發展成就。
 
    在鞏固了HBM領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)地位后，SK海力士還顯露出了引領(lǐng)NAND領(lǐng)域AI內(nèi)存市場的雄心重要方式。
 
    SK海力士近期成功開發(fā)出用于設(shè)備內(nèi)置AI移動NAND解決方案的“ZonedUFS4.0”（ZUFS4.0）開展面對面，將用于具備AI功能的智能手機(jī)。ZUFS4.0針對移動設(shè)備內(nèi)置AI進(jìn)行了優(yōu)化非常重要，據(jù)稱可提供業(yè)界最高的性能進一步提升。與傳統(tǒng)UFS相比，它在長期使用環(huán)境下可將智能手機(jī)上的應(yīng)用啟動時間縮短約45%高品質，同時還將讀寫性能降低4倍不折不扣，并將產(chǎn)品使用壽命延長約40%支撐能力。
 
    SK海力士計劃積極增加高性能16通道企業(yè)級SSD（eSSD）及其子公司Solidigm基于QLC的大容量eSSD的銷售資源優勢。SK海力士還將及時推出適用于AIPC的PCIe第五代消費(fèi)級SSD（cSSD），并優(yōu)化產(chǎn)品陣容以滿足市場需求特征更加明顯。
 
    AI讓原本舉步維艱的NAND市場重新煥發(fā)活力估算，AI服務(wù)器采購量的爆發(fā)式增長也帶動了AI服務(wù)器所需的高性能、大容量SSD需求的大幅上漲的可能性。配備設(shè)備內(nèi)置AI的個人電腦和智能手機(jī)的發(fā)布也推動了對NAND的需求不要畏懼。


本文關(guān)鍵詞：NAND閃存

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