中國發(fā)展存儲成三路進(jìn)擊服務水平，除了由武漢新芯與紫光合體組成的長江存儲滿意度、聯(lián)電相助的福建晉華集成落實落細，第三勢力在兆易創(chuàng)新與前中芯CEO王寧國主導(dǎo)的合肥長鑫合作下也蠢蠢欲動深入交流研討。

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　　紫光集團(tuán)先前欲并購美光、與 SK 海力士談授權(quán)最后都無疾而終組建，最終與獲得中國存儲統(tǒng)籌資源的武漢新芯合并表現，進(jìn)一步成立長江存儲公司特點，由紫光董事長趙偉國兼任長江存儲董事長深刻變革，大基金總經(jīng)理丁文武出任副董事長，并由原武漢新芯CEO楊士寧出任總經(jīng)理負(fù)責(zé) NAND Flash芯片和諧共生，轉(zhuǎn)戰(zhàn)紫光的前華亞科董事長則任長江存儲營運(yùn)長重起爐灶籌備DRAM建廠質生產力。
 

　　武漢新芯存儲基地已在 2016 年 3 月底動土，根據(jù)先前取得的消息技術交流，新的存儲基地將分三期先進的解決方案，總規(guī)劃面積約 100 萬平方米，一期于 8 月開工創造更多、預(yù)計 2018 年建設(shè)完成宣講活動，月產(chǎn)能約 20 萬片，而官方目標(biāo)到 2020 年基地總產(chǎn)能達(dá) 30 萬片/月工藝技術、2030 年來到 100 萬片/月效率。第一步已與 NOR 內(nèi)存廠商飛索半導(dǎo)體（Spansion）簽訂技術(shù)授權(quán)，從 3D NAND Flash 下手產能提升，并預(yù)計 2017 有能力推出 32 層堆疊適應性、2018 年推出 48 層堆疊 3D NAND Flash芯片。在 DRAM 進(jìn)展上與美光洽談技術(shù)授權(quán)還未有眉目通過活化，也有消息指出落地生根，高啟全正招兵買馬透過人脈挖角中國臺灣地區(qū) DRAM 相關(guān)人才的特點，或為建廠做準(zhǔn)備。

 

　　在 SDRAM 進(jìn)展有較大突破的為福建后起勢力有效保障，福建省政府在 5 月宣布大數據，所投資的晉華集成與聯(lián)電簽訂技術(shù)合作協(xié)定，由聯(lián)電接受晉華委托開發(fā) DRAM 相關(guān)制程技術(shù)講實踐，生產(chǎn)利基型 DRAM高效化，團(tuán)隊由瑞晶、美光臺灣前總經(jīng)理為產業發展、現(xiàn)任聯(lián)電資深副總經(jīng)理陳正坤領(lǐng)軍範圍和領域，在 7 月 12 寸廠建廠奠基的同時，已在中國臺灣地區(qū)的南科建立小型試產(chǎn)線各項要求，據(jù)了解初期將導(dǎo)入 32 納米更高要求，但最終目標(biāo)其實放在 25 納米以下制程，以求與其他 DRAM 大廠不致有太大落差新技術，初步產(chǎn)能規(guī)劃每月 6 萬片共同學習，估計 2017 年底完成技術(shù)開發(fā)，2018 年 9 月試產(chǎn)深入，并在 2019 年以前將產(chǎn)線移轉(zhuǎn)至福建新廠效高。
 

　　而合肥欲起的 DRAM 勢力在前爾必達(dá)社長坂本幸雄淡出合肥后，由中國本土 NOR Flash 廠商兆易創(chuàng)新（GigaDevice）與中芯國際前CEO王寧國所主導(dǎo)基礎，目前兆易創(chuàng)新將與武岳峰等中國基金并購的美國 DRAM 廠 ISSI 合并性能，成為長江存儲后，另一家 DRAM/NAND Flash 發(fā)展兼具的內(nèi)存廠商對外開放。
 

　　除了三廠競逐成為焦點技術創新，團(tuán)隊主導(dǎo)人也頗有淵源，主導(dǎo)合肥團(tuán)隊的王寧國與長江存儲總經(jīng)理楊士寧同樣出身中芯國際資料，先前兩派人馬在中芯斗爭多年甚至躍上新聞版面廣泛應用，如今再度碰頭；而現(xiàn)任長江存儲營運(yùn)長的高啟全與聯(lián)電資深副總經(jīng)理陳正坤橫向協同，相繼待過華亞科哪些領域、美光體系，中國內(nèi)存爭戰(zhàn)熟人相爭就看誰能帶領(lǐng)團(tuán)隊率先出線長遠所需。

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