DRAM進(jìn)入到10nm制程時代以來，已從1x自主研發、1y規定、1z大面積、1α演進(jìn)到1β(第五代)特點。三星體系、SK海力士資源配置、美光在去年完成了1β的研發(fā)信息化技術，現(xiàn)在正陸續(xù)量產(chǎn)1β DRAM產(chǎn)品大大縮短。被寄予厚望的三星第六代1c 制程的DRAM也將于1至2年內(nèi)量產(chǎn)要落實好。
 

    2023年AI服務(wù)器迅猛增長也帶動HBM、DDR5需求增加更默契了。各大原廠為了滿足市場需求先進技術，正加快先進(jìn)DRAM產(chǎn)品推出速度培訓。隨著支持DDR5第二子代內(nèi)存產(chǎn)品的主流服務(wù)器CPU上市，今年下半年5,600 MT/S速率將進(jìn)入主流市場宣講手段。
 

    AI服務(wù)器也推動了128GB/256GB內(nèi)存模組的需求重要工具，這些高容量模組又受限于封測廠的TSV產(chǎn)能。所幸的是配套設備，存儲原廠將在今年內(nèi)推出32Gb單Die更優質，使得128GB內(nèi)存模組無需采用TSV工藝，將推動128GB產(chǎn)品進(jìn)入服務(wù)器主流市場推進高水平。此外脫穎而出，今年上半年CXL進(jìn)入了實用階段、HBM3e開始量產(chǎn)資料，這也將推動服務(wù)器內(nèi)存大升級廣泛應用。


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