MRAM探索，即磁性隨機存取存儲器堅定不移，是一種具備非易失性的存儲技術。它結合了SRAM的高速讀寫性能和DRAM的高集成度，幾乎可以無限次地進行數據寫入自然條件。MRAM的優(yōu)勢在于其高速的讀寫速度、低功耗、高存儲密度、出色的耐擦寫性能推進一步、寬廣的工作溫度范圍以及對輻射的強抵抗力。
 
    Everspin生產的型號為MR0A16A的MRAM存儲芯片簡單化，擁有1Mbit的存儲容量力度，其組織結構為16位寬，共計65536個字系統性。該芯片提供與SRAM相兼容的35納秒讀/寫時序善謀新篇，并且具有無限的續(xù)航能力。數據在超過20年的時間里保持非易失性提供堅實支撐，即使在斷電的情況下，通過低電壓抑制電路也能自動保護數據高產，防止因電壓異常而寫入錯誤信息化技術。因此，它成為需要永久存儲和快速檢索關鍵數據及程序的應用的理想內存選擇良好。
 
    該MRAM芯片采用44-TSOP和48-BGA封裝逐步顯現，與低功耗SRAM產品及其他非易失性RAM產品兼容，確保在各種溫度條件下提供高度可靠的數據存儲引領。
 
    Everspin公司推出的MRAM產品線包括MRAM自動化裝置、STT MRAM和xSPI MRAM三種類型。英尚國際有限公司作為Everspin的代理應用前景，能夠提供MRAM樣品測試及應用解決方案等全方位產品服務有很大提升空間。


本文關鍵詞：MR0A16A,MRAM

相關文章：非易失性存儲器存儲器MRAM提供替代方案

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機記憶體產品及方案提供商，十年來專業(yè)致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM首次、MRAM可能性更大、pSRAM、 FLASH芯片搖籃、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產品及方案技術。

英尚微電子中國區(qū)指定的授權代理：VTI、NETSOL推動、JSC濟州半導體(EMLSI)相對較高、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK相關、ISSI大力發展、CYPRESS、ISOCOME綠色化、PARAGON不同需求、SINOCHIP、UNIIC保持穩定； 著名半導體品牌的專業(yè)分銷商  如：RAMTROM總之、ETRON、FUJITSU支撐作用、LYONTEK研學體驗、WILLSEMI。