英尚微介紹一款可替換TI AFE2256的DR前端處理芯片。
 
  TI AFE2256 256通道模擬前端(AFE)設(shè)計(jì)用于滿足基于平板探測(cè)器(FPD)的數(shù)字X射線系統(tǒng)的要求自行開發。AFE2256包括256個(gè)積分器應用的因素之一、1個(gè)可編程增益放大器(PGA)實施體系、1個(gè)帶有雙存儲(chǔ)區(qū)的相關(guān)雙采樣器(CDS)以及若干256:4模擬多路復(fù)用器應用。另外推進高水平，該器件還包括四個(gè)16位逐次逼近寄存器(SAR)模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)穩步前行。ADC串行數(shù)據(jù)采用低壓差分信號(hào)(LVDS)格式增持能力。借助打盹模式和掉電模式等節(jié)能特性動力，可大幅降低功耗同時，這在由電池供電的系統(tǒng)中尤其有用。
 
  英尚提供的是一款256通道的模擬前端芯片效高性，專為平板探測(cè)器的數(shù)字x射線系統(tǒng)設(shè)計(jì)模式。該器件包含256個(gè)集成器、1個(gè)可用于滿量程電荷電平選擇的可編程增益放大器提升、1個(gè)帶有雙電源的相關(guān)雙采樣器和256:4模擬多路復(fù)用器高品質。該器件還內(nèi)置四個(gè)16位SAR型ADCADC的數(shù)字輸出為低壓差分信號(hào)(LVDS)。芯片支持睡眠和斷電模式支撐能力，在這些模式下將極大的降低芯片自身的功耗資源優勢。芯片采用COF封裝。
 
  我司英尚提供的DR前端模擬芯片可替換TI AFE2256前端模擬芯片特征更加明顯，適用于X射線平板探測(cè)器估算，電荷探測(cè)器，電容測(cè)量等應(yīng)用領(lǐng)域的可能性。歡迎咨詢英尚微不要畏懼。


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