磁性隨機存儲器(MRAM)和集成磁（Integrated Magnetic）產(chǎn)品的領(lǐng)導廠商Everspin科技公司日前推出4Mb MRAM， 進一步強化了該公司在MRAM領(lǐng)域的領(lǐng)導地位”Ｕ闲?，F(xiàn)在所有需要無電數(shù)據(jù)保持以及SRAM性能的應(yīng)用都可使用具有非揮發(fā)性不可缺少、高性能大大縮短、以及高可靠性優(yōu)勢的MRAM技術(shù)導向作用。
 
Everspin科技公司表示將對MRAM產(chǎn)品線進行持續(xù)性快速的拓展和諧共生，以便更多客戶實現(xiàn)對產(chǎn)品差異化設(shè)計效高。也將不斷提高MRAM產(chǎn)品的容量面向，并以極具成本效益的方式保持MRAM的獨有特性重要意義。"
 
MR4A16BYS35是一款3.3V統籌發展、并行I/O非揮發(fā)RAM，其超快的存取周期僅為35ns體系，并允許無限制的讀/寫循環(huán)生產製造。在每次寫入后開展試點，資料能持續(xù)保存超過20年。此外與其它存儲器不同具有重要意義，MRAM還可免除因宇宙射線所產(chǎn)生的軟錯誤率(SER, soft error rate)進一步。這款16Mb MRAM由引腳和功能可與異步SRAM兼容。MMR4A16BYS35目標應(yīng)用為工業(yè)自動化強大的功能、機器人實際需求、網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)儲存、多功能打印機優勢、以及其它許多傳統(tǒng)受限于需采用SRAM設(shè)計的系統(tǒng)善謀新篇。

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