目前有數(shù)家芯片制造商,正致力于開發(fā)創(chuàng)新出名為STT-MRAM的新一代存儲器技術,然而這項技術仍存在其制造和測試等面向存在著諸多挑戰(zhàn).STT-MRAM（又稱自旋轉移轉矩MRAM技術）具有在單一元件中,結合數(shù)種常規(guī)存儲器的特性而獲得市場的高度重視.在多年來的發(fā)展中發(fā)現(xiàn),STT-MRAM具備了SRAM的速度與快閃存儲器的穩(wěn)定性與耐久性.STT-MRAM是透過電子自旋的磁性特性,在芯片中提供非揮發(fā)性儲存的功能.

STT-MRAM深受市場關注

盡管,STT-MRAM這項技術看起來雖然有其優(yōu)勢,卻也高度復雜,這就是為什么它的發(fā)展歷程遠比預期的時間還更長.包括三星更為一致、臺積電等形式、英特爾、GlobalFoundries等,都正在持續(xù)開發(fā)STT-MRAM技術.盡管如此芯片制造商在其晶圓設備上面臨到一些挑戰(zhàn),例如必須改進現(xiàn)有的生產(chǎn)設備,并將其升級到支援28nm或22nm甚至更新的納米制程.


Everspin提供了市場上最可靠研究與應用、高效能飛躍、且具成本效益的非揮發(fā)性隨機存取存儲器，以協(xié)助客戶開發(fā)獨特且極具競爭力的產(chǎn)品 全面協議。專業(yè)生產(chǎn)MRAM產(chǎn)品芯片,并提供應用解決方案.重要部署。

EVERSPIN MRAM芯片特性
•MRAM讀取/寫入周期時間：35ns；
•真正無限次擦除使用工具；
•業(yè)內(nèi)最長的壽命和數(shù)據(jù)保存時間----超過20年的非揮發(fā)特性智慧與合力；
•單芯片最高容量為16Mb；
•快速重要的角色、簡單接口----16位或8位并行SRAM促進進步、40MHz高速串行SPI接口；
•具有成本效益----簡單到只有一個晶體管優勢領先、一個磁性穿隧結(1T-1MTJ)位單元；
•最佳等級的軟錯誤率----遠比其它內(nèi)存優(yōu)異共創美好；
•可取代多種存儲器----集閃存推動並實現、SRAM、EEPROM特點、nvRAM積極回應、以及BBSRAM的功能于一身；
•具備商業(yè)級又進了一步、工業(yè)級多種場景、擴展級和汽車級的可選溫度范圍；
•符合RoHS規(guī)范：無電池規劃、無鉛擴大公共數據；
•小封裝：TSOP、VGA帶動擴大、DFN.

在生產(chǎn)過程中測試也將發(fā)揮關鍵的作用.STT-MRAM需要新的測試設備,用于測試其磁場狀況.除此之外還包括在生產(chǎn)流程中的不同位置,例如晶圓廠中的生產(chǎn)階段核心技術體系、測試平臺、或者后測試等,都需要更為嚴格的檢測流程.

STT-MRAM不止能夠高速運行,其特色在于即使電源關閉了也能保留數(shù)據(jù),并且功耗也非常低.由于這些特性使得STT-MRAM十分適合應用于嵌入式存儲器市場,而包括PC持續發展、行動設備等儲存裝置,也都十分關注STT-MRAM的發(fā)展腳步.

即便如此挑戰(zhàn)仍然存在.當MRAM芯片在強磁場中運作時,MRAM測試就會產(chǎn)生新的狀況.在非磁性的儲存設備中,不必擔心這一點.然而對于MRAM來說,環(huán)境中的磁場就成了一個新的考量因素.通常在操作期間需要利用強磁場來干擾STT-MRAM,這是需要經(jīng)過驗證并加以解決的問題.產(chǎn)業(yè)界目前正密切關注STT-MRAM,因為該儲存技術已經(jīng)開始被嵌入式領域的客戶用于產(chǎn)品設計階段的導入.
 
本文關鍵詞： MRAM 

相關文章：MRAM在哪方面適合物聯(lián)網(wǎng)

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機記憶體產(chǎn)品及方案提供商必然趨勢，十年來專業(yè)致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM擴大、pSRAM多樣性、 FLASH芯片發揮效力、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產(chǎn)品及方案。
英尚微電子中國區(qū)指定的授權代理：VTI明顯、NETSOL安全鏈、JSC濟州半導體(EMLSI)、Everspin 技術創新、IPSILOG處理方法、LYONTEK、ISSI持續向好、CYPRESS習慣、ISOCOME、PARAGON進展情況、SINOCHIP的積極性、UNIIC； 著名半導體品牌的專業(yè)分銷商  如：RAMTROM至關重要、ETRON不久前、FUJITSU、LYONTEK提升行動、WILLSEMI合規意識。