MRAM是一種非常復(fù)雜的薄膜多層堆疊，由10多種不同材料和超過(guò)30層以上的薄膜與堆疊組成更加廣闊，部分薄膜層的厚度僅達(dá)數(shù)埃發展需要，比人類(lèi)的發(fā)絲還要薄500000倍特性，相近于一顆原子的大小積極性，如何控制這些薄膜層的厚度開展試點、沉積均勻性不斷進步、介面品質(zhì)等參數(shù)是關(guān)鍵所在保供。因?yàn)樵谠訉蛹?jí)高效節能，任何極小的缺陷都會(huì)影響裝置效能影響力範圍，所以這些新型存儲(chǔ)器要想實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)，必須在硅上沉積和整合新興材料能力方面取得實(shí)質(zhì)突破新創新即將到來。
 

作為高密度存儲(chǔ)器應(yīng)用的候選技術(shù)邁出了重要的一步，PCRAM和ReRAM都具有結(jié)構(gòu)堆疊，包含容易受薄膜成分和劣化衰退影響的多重元素材料設施。以相變單元材料為例需求，產(chǎn)業(yè)界花了數(shù)十年的時(shí)間才發(fā)現(xiàn)具有適當(dāng)成分的鍺銻碲復(fù)合物薄膜材料，并達(dá)到最佳化的條件更優質，而ReRAM 對(duì)存儲(chǔ)器材料的組成也非常敏感相對開放。制造設(shè)備解決方案需要提供精確的薄膜厚度、成分均衡性和介面品質(zhì)脫穎而出。
 

為了解決MRAM拓展應用、ReRAM和PCRAM大規(guī)模量產(chǎn)面臨的挑戰(zhàn)生產創效，應(yīng)用材料公司日前推出了新型Endura® Clover™ MRAM PVD平臺(tái)和Endura® Impulse™ PVD系統(tǒng)，他們也是公司歷史上迄今為止推出的“最為復(fù)雜和精密的芯片制造系統(tǒng)”管理，并已發(fā)貨給5家MRAM芯片和8家PCRAM/ReRAM用戶優化上下。

 

說(shuō)到MRAM,EVERSPIN是從飛思卡爾半導(dǎo)體公司分離出來(lái)的一家獨(dú)立公司。是全球第一家量產(chǎn)MRAM芯片的供貨商模樣，并透過(guò)持續(xù)提升技術(shù)與擴(kuò)展MRAM產(chǎn)品組合來(lái)領(lǐng)導(dǎo)業(yè)界的發(fā)展生產體系。Everspin 的專(zhuān)利MRAM技術(shù)是以可沉積在標(biāo)準(zhǔn)邏輯制程上的磁性隧道結(jié) (MTJ)儲(chǔ)存單元為基礎(chǔ)。MTJ中包含了一個(gè)維持單一極性方向的固定層(fixed layer)很重要，和一個(gè)通過(guò)隧道結(jié)(tunnel barrier)與其隔離的自由層(free layer).我司作為EVERSPIN一級(jí)代理能力和水平，可提供MRAM產(chǎn)品及技術(shù)解決方案.

本文關(guān)鍵詞：MRAM 

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