最新的1Gb容量STT-MRAM擴大了MRAM的吸引力，但Everspin仍需努力追趕DRAM的存儲密度有效保障。

 

低容量的特性大數據，使得MRAM組件更適用于嵌入式系統(tǒng)長效機製，其中SoC和ASIC可更容易地設計兼容的DDR控制器。

 

目前行業(yè)內(nèi)已通過MRAM來部分替代DRAM數字技術，比如IBM就在去年推出了Flash Core模塊奮戰不懈，以及希捷在FMS2017上展示的原型。
 

 

當然我們并不指望mram專用存儲設備可以迅速在市面上普及（SSD或NVDIMM）措施。畢竟市面上的混合型SSD大大縮短，仍依賴于NAND閃存作為主要存儲介質(zhì)。

 

作為與格羅方德合作生產(chǎn)的第二款分立型MRAM器件緊密相關，他們還在GloFo的22nmFD-SOI工藝路線圖中嵌入了MRAM更默契了。

 

鑒于該工廠取消了7nm和更低制程的計劃，包括嵌入式內(nèi)存在內(nèi)的特殊工藝對其未來顯然至關重要共同學習。

 

需要指出的是，盡管Everspin不是唯一一家致力于MRAM技術的公司深入，但它們卻是分立式MRAM器件的唯一供應商效高。Everspin在磁存儲器設計，制造和交付到相關應用中的知識和經(jīng)驗在半導體行業(yè)中是獨一無二的基礎。Everspin擁有超過600項有效專利和申請的知識產(chǎn)權產(chǎn)品組合性能，在平面內(nèi)和垂直磁隧道結（MTJ）STT-MRAM位單元的開發(fā)方面處于市場領先地位。

 

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