STT-MRAM越來越多地被廣泛用于嵌入式內存應用之中擴大，STT-MRAM 具有的高存儲密度、低能耗、低誤率等優(yōu)勢使其有著巨大的優(yōu)勢。以取代閃存、EEPROM和SRAM，有多家邏輯組件IDM /晶圓代工廠正在提供嵌入式STT-MRAM解決方案：其中還包括臺積電(TSMC數據顯示，22nm ULL CMOS)集成技術、三星(Samsung就能壓製，28nm FD-SOI)、GLOBALFOUNDRIES (22nm FD-SOI)適應能力、英特爾(Intel更優美，22nm FinFET)。
 
從目前的市場角度來看防控，雖然現在的NAND和DRAM在未來幾年占據主導地位,但是MRAM預計將會有顯著成長成效與經驗。根據市場研究機構報告，到2024年的STT-MRAM市場可望達到 18億美元規(guī)模(包括12億美元規(guī)模的嵌入式方案增產，以及約6億美元的獨立組件)便利性，2018到2024年間的復合年成長率為85%，總產量超過30萬片晶圓(wafer production volume)行動力，同期間復合年成長率為126%提供有力支撐。

 
未來我們將會看到嵌入式STT-MRAM 出現在諸如物聯網(IoT)、微控制器(MCU)保供、汽車自行開發、邊緣運算和人工智能(AI)等應用中。美國Everspin還提供了幾種獨立的MRAM產品責任，鎖定包括航天應用情況、汽車、儲存組建、工廠自動化表現、IoT、智慧能源作用、醫(yī)療和工業(yè)機器控制/運算等應用相互配合。英尚微電子作為EVERSPIN授權的總代理,不斷給市場提供高質量的MRAM芯片,在數據中心和云存儲慢體驗，業(yè)汽車和運輸市場中提供MRAM和STT-MRAM產品著力增加。  



Everspin  STT-MRAM  256Mb

Density	Org.	Part Number	Voltage	Speed	Package	Pack/Ship
256Mb	16Mb x 16	EMD3D256M16G2-150CBS1T	1.5v +/- 0.075v	1333	BGA	Tray
256Mb	16Mb x 16	EMD3D256M16G2-150CBS1R	1.5v +/- 0.075v	1333	BGA	Tape and Reel
256Mb	16Mb x 16	EMD3D256M16G2-150CBS2T	1.5v +/- 0.075v	1333	BGA	Tray
256Mb	32Mb x 8	EMD3D256M08G1-187CBS2T	1.5v +/- 0.075v	1066	BGA	Tray
256Mb	32Mb x 8	EMD3D256M08G1-150CBS2T	1.5v +/- 0.075v	1333	BGA	Tray
256Mb	16Mb x 16	EMD3D256M16G2-187CBS2T	1.5v +/- 0.075v	1066	BGA	Tray
256Mb	16Mb x 16	EMD3D256M16G2-150CBS2R	1.5v +/- 0.075v	1333	BGA	Tape and Reel
256Mb	32Mb x 8	EMD3D256M08G1-187CBS2R	1.5v +/- 0.075v	1066	BGA	Tape and Reel
256Mb	32Mb x 8	EMD3D256M08G1-150CBS2R	1.5v +/- 0.075v	1333	BGA	Tape and Reel
256Mb	16Mb x 16	EMD3D256M16G2-187CBS2R	1.5v +/- 0.075v	1066	BGA	Tape and Reel
256Mb	32Mb x 8	EMD3D256M08G1-150CBS1	1.5v +/- 0.075v	1333	BGA	Trays
256Mb	32Mb x 8	EMD3D256M08G1-150CBS1T	1.5v +/- 0.075v	1333	BGA	Tray
256Mb	32Mb x 8	EMD3D256M08G1-150CBS1R	1.5v +/- 0.075v	1333	BGA	Tape and Reel
256Mb	16Mb x 16	EMD3D256M16G2-150CBS1	1.5v +/- 0.075v	1333	BGA	Trays

本文關鍵詞： MRAM

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