存儲(chǔ)芯片本身就是包括SRAM,MRAM,PSRAM,SPI SRAM等內(nèi)存種類，其中NOR FLASH和NAND FLASH是現(xiàn)在內(nèi)存市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)更默契了。1988年最初開(kāi)發(fā)出NOR flash技術(shù)是Intel建設項目，NOR FLASH的出現(xiàn)完全打破了原先由EPROM和EEPROM壟斷局勢(shì)深入闡釋。

1989年積極，東芝公司公布了NAND flash結(jié)構(gòu)增幅最大，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本保持競爭優勢，更高的性能背景下，而且可以像磁盤一樣通過(guò)接口輕松升級(jí)的發生。但是經(jīng)過(guò)了十多年之后組成部分，還是有相當(dāng)一部分的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。

例如"flash存儲(chǔ)器"經(jīng)承碌膭恿?？梢耘c相"NOR存儲(chǔ)器"交換使用的過程中。許多業(yè)內(nèi)人士也搞不清楚NAND閃存技術(shù)相對(duì)于NOR技術(shù)的杰出之處，因?yàn)榇蠖鄶?shù)情況下閃存只是用來(lái)存儲(chǔ)少量的代碼廣泛關註，

這種情況下NOR閃存更適合一些促進進步。而NAND則是高數(shù)據(jù)存儲(chǔ)密度的理想解決方案。
 

　　NOR FLASH是現(xiàn)在市場(chǎng)上主要的非易失閃存技術(shù)優勢領先。

                               


NOR FLASH一般只用來(lái)存儲(chǔ)少量的代碼;NOR FLASH主要應(yīng)用在代碼存儲(chǔ)介質(zhì)中迎來新的篇章。NOR FLASH的特點(diǎn)是應(yīng)用簡(jiǎn)單、傳輸效率高推動並實現、不需要專門的接口電路薄弱點，它是屬于芯片內(nèi)執(zhí)行(XIP, eXecute In Place)，這樣應(yīng)用程序可以直接在(NOR型)flash閃存內(nèi)運(yùn)行優化程度，不需要再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中積極性。


在1～4MB的小容量時(shí)具有很高的成本效益奮勇向前，但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的性能。NOR flash帶有SRAM接口實施體系，有足夠的地址引腳來(lái)尋址組建，能夠快速地存取其內(nèi)部的每一個(gè)字節(jié)。NOR flash占據(jù)了容量為1～16MB閃存市場(chǎng)的大部分效果較好。

 

　　NAND結(jié)構(gòu)能提供極高的單元密度帶動擴大，可以達(dá)到高存儲(chǔ)密度，并且寫入和擦除的速度也很快與時俱進。應(yīng)用NAND的困難在于flash的管理和需要特殊的系統(tǒng)接口性能。

本文關(guān)鍵詞：NOR FLASH   NAND FLASH  FLASH       相關(guān)文章：MRAM在28nm CMOS制程進(jìn)展良好

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