從需求面來(lái)看不斷進步，雖然一些細(xì)分市場(chǎng)正在成長(zhǎng)，但并未出現(xiàn)殺手級(jí)的應(yīng)用或是特別繁榮的細(xì)分市場(chǎng)效率。因此規模，問題應(yīng)該就出在供應(yīng)面。

　　
美光(Micron)表示講道理，2017年DRAM供給位元預(yù)計(jì)成長(zhǎng)15-20%發展目標奮鬥，可說是近20年來(lái)最低的位元成長(zhǎng)率(bit growth)。如此低的位元成長(zhǎng)率更多的合作機會，主要是因?yàn)镈RAM微縮限制延伸。市場(chǎng)上有很長(zhǎng)一段時(shí)間都沒有任何有關(guān)DRAM微縮的消息了。當(dāng)供給位元成長(zhǎng)低于45%時(shí)服務好，這時(shí)就是賣方的市場(chǎng)了新趨勢。因此，DRAM的寡頭壟斷共謀發展、低位元成長(zhǎng)率學習，以及制造擴(kuò)張遲緩，導(dǎo)致長(zhǎng)期的供應(yīng)吃緊聽得懂。最終的局面可能就是DRAM的價(jià)格不斷上漲應用優勢，而供應(yīng)面卻不會(huì)有任何改變。

　　
                                              

                                             
                                             


NAND市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)非常激烈全方位「咝Ч澞?；?D NAND將大幅提高生產(chǎn)力的市場(chǎng)預(yù)期，所有的NAND廠商都投入了數(shù)十億美元于3D NAND制造深刻認識。因此核心技術，供應(yīng)過剩估計(jì)會(huì)持續(xù)一段時(shí)間。但是主動性，這種期待只是一種假象創造性。3D NAND的制造比大家想像的要困難得多。目前道路，幾家NAND供應(yīng)商都得努力地推出3D NAND性能。

許多分析師預(yù)計(jì)，大約在2018年底對外開放，當(dāng)64層和96層3D NAND快閃存儲(chǔ)器的制造趨于成熟時(shí)技術創新，市場(chǎng)供應(yīng)緊張的情況將會(huì)得到緩解深入交流研討。所以，明年將會(huì)有足夠的NAND供應(yīng)嗎?如圖所示廣泛應用，平面NAND的橫向微縮(即摩爾定律)以2的N次冪方式呈指數(shù)級(jí)增加位元單元關註度。相對(duì)地，3D NAND的單元層數(shù)(即垂直微縮)則線性增加位元單元哪些領域。目前敢於挑戰，根據(jù)摩爾定律，平面NAND符合位元單元的指數(shù)級(jí)需求成長(zhǎng)建立和完善。然而提供了遵循，平面NAND面對(duì)微縮限制，3D NAND僅以線性位元成長(zhǎng)率大型，將難以達(dá)到市場(chǎng)的需求服務效率。

　　
綜上所述的，存儲(chǔ)器價(jià)格較高不再只是因?yàn)楣┬枋Ш庵匾饬x。從現(xiàn)在開始統籌發展，我們幾乎不會(huì)看到存儲(chǔ)器價(jià)格降下來(lái)，因?yàn)榇鎯?chǔ)器價(jià)格如此居高不下構建，主要是因?yàn)榇鎯?chǔ)器元件的微縮限制創新科技。


本文關(guān)鍵詞：DRAM  存儲(chǔ)器

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