富士通和松下正在聯(lián)合加大研發(fā)力度改革創新，投入開(kāi)發(fā)第二代 ReRAM 器件知識和技能。另外，Crossbar 正在嘗試生產(chǎn)一種 40nm ReRAM 技術(shù)新模式，現(xiàn)在是由中國(guó)的中芯國(guó)際（SMIC）的晶圓廠代工生產(chǎn)實現。臺(tái)積電（TSMC）和聯(lián)電（UMC）也毫不示弱，最近也已經(jīng)將 ReRAM 納入了自己的發(fā)展計(jì)劃中來(lái)組織了，預(yù)計(jì)將在明年的時(shí)候?yàn)樽约旱目蛻?hù)開(kāi)發(fā)這項(xiàng)技術(shù)服務體系。

多年以來(lái)，人們一直在吹噓 ReRAM搶抓機遇，說(shuō)它是 NAND 等傳統(tǒng)內(nèi)存技術(shù)的替代者效高化，但 ReRAM 的開(kāi)發(fā)難度大到難以想象。并且投入力度，NAND 也比之前所預(yù)測(cè)的發(fā)展得更長(zhǎng)久創造，以至于很多公司暫緩甚至放棄了ReRAM的 開(kāi)發(fā)。

然而并不是所有芯片制造商都支持 ReRAM貢獻法治。GlobalFoundries 等一些公司對(duì) ReRAM 技術(shù)就沒(méi)有那么熱衷設備製造，反而正在開(kāi)發(fā)不同類(lèi)型的下一代內(nèi)存技術(shù)。

與閃存相比攻堅克難，ReRAM 的優(yōu)勢(shì)是讀取延遲更低且寫(xiě)入速度更快管理。在傳統(tǒng)內(nèi)存中，數(shù)據(jù)以電荷的形式存儲(chǔ)雙向互動。在 ReRAM 中效率和安，會(huì)有一個(gè)電壓被應(yīng)用于一種堆疊的材料，繼而導(dǎo)致電阻變化，這種變化可以在內(nèi)存中記錄數(shù)據(jù)（0 和 1）深入開展。

盡管ReRAM具備不少優(yōu)良屬性更為一致，但目前為止出貨 ReRAM 的公司只有幾家。其它公司還在克服困難空間廣闊、迎難而上至關重要，因?yàn)?ReRAM 技術(shù)在物理方面十分困難提供深度撮合服務。而且在一些案例中服務品質，ReRAM 的性能和可靠性也沒(méi)有達(dá)到人們的期待值。

ReRAM 不會(huì)取代 NAND 或其它內(nèi)存組成部分，但它會(huì)找到合適的定位影響，尤其是在嵌入式內(nèi)存應(yīng)用領(lǐng)域。聯(lián)電嵌入式非易失性?xún)?nèi)存助理副總裁 Yau Kae Sheu 說(shuō)：“ReRAM 是一種針對(duì)成本敏感型應(yīng)用的解決方案的過程中，比如可穿戴和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備發展契機。ReRAM 很適合一些低端的 MCU 和內(nèi)存密度要求更低的消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品。”

但對(duì)于未來(lái)應(yīng)用促進進步，ReRAM 等一些下一代內(nèi)存技術(shù)的目標(biāo)是所謂的存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存（storage-class memory）市場(chǎng)發力。多年以來(lái)，內(nèi)存行業(yè)一直在尋找一種新的內(nèi)存類(lèi)型迎來新的篇章，即存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存共創美好。這種內(nèi)存可以用在系統(tǒng)的主內(nèi)存（DRAM）和儲(chǔ)存器（NAND 閃存）之間，填充這兩者之間逐漸變大的延遲差距蓬勃發展。

ReRAM 的另一個(gè)潛在應(yīng)用是神經(jīng)形態(tài)計(jì)算（neuromorphic computing）特點。神經(jīng)形態(tài)計(jì)算使用了腦啟發(fā)的計(jì)算功能，可用于實(shí)現(xiàn)人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)重要性。但是又進了一步，在 ReRAM 進(jìn)軍這些市場(chǎng)之前，內(nèi)存行業(yè)必須要先小規(guī)模地掌控 ReRAM多元化服務體系。

本文關(guān)鍵詞：ReRAM   MCU

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