Crossbar悄無聲息地帶來了一個全新的、極具吸引力的替代性存儲器技術全過程。他們解決方案的關鍵是將ReRAM內(nèi)置于存儲單元之中集成應用，不像其它ReRAM技術還需要一個單獨的外部設備，這無疑會帶來噪音等諸多問題不負眾望。而這也就會顯示出Crossbar方案的極大優(yōu)勢高效流通。鉬CrossbarReRAM技術基于一個簡單的結構，采用CMOS工藝常用的材料以及標準的制造工藝重要意義，無需任何特別的機器設備或者材料統籌發展，就可以很容易地在現(xiàn)有的CMOS工廠進行制造。由于Crossbar ReRAM采用了低溫后段制程工藝整合體系，所以多層Crossbar ReRAM陣列可以被整合到CMOS邏輯晶圓之上生產製造，從而創(chuàng)建出3D ReRAM存儲芯片。

Crossbar ReRAM單元存儲介質(zhì)是包裹絕緣性非晶硅（a-Si）的金屬絲攜手共進，這與在閃存單元里電子存儲的形式有很大不同共同，因為哪怕是少量的電子損耗都會引發(fā)可靠性問題，所以鎖定電子就變成了一個艱巨的挑戰(zhàn)經過。這也是為什么閃存的性能在較小的制程工藝尺寸上會有所降低的原因簡單化。而Crossbar ReRAM在不同尺寸上都不會影響設備的性能，并且有望被用于10納米以下的尺寸解決方案。

CrossbarReRAM技術具有眾多特性優勢，可以實現(xiàn)多種全新的存儲解決方案類別善謀新篇。Crossbar ReRAM單元的內(nèi)置選擇特性允許不同的內(nèi)存陣列配置增產，一個晶體管可以驅動一個或者成千上萬個內(nèi)存單元，從而實現(xiàn)了針對不同目標應用的靈活設計：嵌入式代碼存儲的快速讀取和處理器的直接執(zhí)行方法，或者對存儲數(shù)據(jù)的高密度行動力、低延滯讀取。

Crossbar ReRAM技術相較于NAND閃存能夠將讀取延滯降低到1/100切實把製度，將寫入速度提升20倍保供，而且還可以不受限制地對數(shù)據(jù)進行反復擦除。CrossbarReRAM技術可以以小頁模式建構進行部署，可以被獨立地擦除或者重新編程責任。通過移除無用單元回收所要求的大量后臺內(nèi)存讀取，這種全新的存儲架構大大簡化了存儲控制器的復雜度保護好。該技術的寫入放大率為1組建，從而為用戶帶來低的讀寫延滯、更低功耗以及存儲解決方案更長生命周期的好處特點。

憑借這些突破性的性能和可靠性深刻變革、超高的容量結論、低功耗以及針對多種存儲架構的可調(diào)性，Crossbar將為消費電子質生產力、企業(yè)存儲適應性強、移動計算、工業(yè)/汽車/醫(yī)療推動、物聯(lián)網(wǎng)以及可穿戴設備應用帶來一波新的創(chuàng)新相對較高。


本文關鍵詞：ReRAM 消費電子  物聯(lián)網(wǎng)
 
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