美光建設(shè)新廠 研發(fā)全新技術(shù)
2017-10-25 14:32:05
此前著力增加，由于美光科技DRAM大廠臺灣桃園廠區(qū)發(fā)生氮?dú)庑孤妒录袌鲩_拓，?dǎo)致5000至1萬片的晶圓直接報廢，4萬片晶圓則被視為次級品或者報廢品。美光迅速解決并恢復(fù)正常生產(chǎn)運(yùn)作更加廣闊，對之后的產(chǎn)能并沒有產(chǎn)生太大的影響表現明顯更佳。
8月14日提供了有力支撐，美光在總部舉辦活動慶祝新廠建設(shè)成功。據(jù)了解就此掀開，這個工廠主要用于研發(fā)全新內(nèi)存以及存儲技術(shù)競爭力所在，美光技術(shù)開發(fā)執(zhí)行副總裁ScottDeBoer表示改善，美光的主要DRAM技術(shù)研發(fā)中心已經(jīng)轉(zhuǎn)入其日本廣島的制造工廠，未來將加速研發(fā)3D NAND以及DRAM全新技術(shù)進一步提升。
由于目前DRAM市場正處于漲潮階段空間廣闊，美光預(yù)計2017年會計年度第四季營收同比增長91%，高達(dá)61.38億美元改革創新，且對于2017年底營收的展望遠(yuǎn)超市場預(yù)期知識和技能，預(yù)估為63億美元左右。美光執(zhí)行長SanjayMehrotra表示新模式，美光1X納米DRAM和64層3D NAND的良率將于今年年底達(dá)到穩(wěn)定階段實現，從產(chǎn)業(yè)目前情況來看，今年年底前組織了，DRAM以及NAND Flash都將供不應(yīng)求服務體系。
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DRAM
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