基于ReRAM技術(shù)的SSD即將面世
2017-11-10 15:35:32
SSD雖然能夠通過(guò)堆疊層數(shù)來(lái)增大單顆粒容量,但隨著層數(shù)越來(lái)越多共謀發展,所需要的硅穿孔數(shù)目越多,制造難度直線上升先進的解決方案,不僅生產(chǎn)成本高,良品率也無(wú)法保證創造更多、信息,一些擁有深厚技術(shù)的存儲(chǔ)廠商早就開(kāi)始探索新一代非易失性存儲(chǔ)器了。除了Intel那個(gè)未知原理的3D XPoint閃存以外大力發展,還有大熱的ReRAM豐富內涵,這是一種以電阻值來(lái)記錄數(shù)據(jù)的非易失性存儲(chǔ)器,具有單位面積容量大產能提升、讀寫(xiě)速度快特性發展,而對(duì)此研究了好些年的Mobiveil聯(lián)合Crossbar將會(huì)推出基于ReRAM技術(shù)的SSD,為存儲(chǔ)市場(chǎng)增添新活力總之。
ReRAM其實(shí)就是一種憶阻器模型面向,是一種能夠描述電荷和磁通之間關(guān)系的全新元件,也是一種具有記憶功能的非線性電阻研學體驗,不僅可以記憶流經(jīng)自身的電荷數(shù)量建設項目,也可以通過(guò)控制激勵(lì)源的電流或者磁通來(lái)改變自身的阻值大小,并且這種阻值變化可以在斷電下繼續(xù)保存相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)間落實落細。

單一憶阻器其實(shí)就是一個(gè)長(zhǎng)條形的器件相結合,擁有三層結(jié)構(gòu),包含有上下電極和中間的開(kāi)關(guān)層製高點項目,通過(guò)電極施加不同的電壓值就能改變中間的特殊結(jié)構(gòu)的電阻值為產業發展,從而達(dá)到存儲(chǔ)數(shù)據(jù)功能(電阻值代表0/1或者是更多位數(shù)據(jù))。其穩(wěn)定性非常好有所增加,具備了普通閃存顆粒不具備的超寬溫度耐受值各項要求,-40-125℃。一百萬(wàn)次讀寫(xiě)周期后越來越重要的位置,在85℃下數(shù)據(jù)可以保持10年不消失新技術。
而且這種長(zhǎng)條形結(jié)構(gòu)可以很容易地組建成大規(guī)模陣列,簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)使得存儲(chǔ)容量順滑地配合、密度遠(yuǎn)超現(xiàn)有的閃存技術(shù)深入,輕松實(shí)現(xiàn)TB存儲(chǔ)顆粒。
另外由于其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單前沿技術,它的主控開(kāi)發(fā)也變得異常簡(jiǎn)單基礎,現(xiàn)有的Mobiveil's NVMe、PCIe多種方式、DDR3/4主控可以很好地適應(yīng)ReRAM架構(gòu)對外開放。
不過(guò)Mobiveil新創新即將到來、Crossbar表示ReRAM SSD并不是要革現(xiàn)有SSD的名,因?yàn)樗辽俣唐趦?nèi)不是民用消費(fèi)級(jí)宣講手段,而是面向商業(yè)應(yīng)用方案重要工具,因?yàn)槟壳皝?lái)看ReRAM SSD雖然性能指標(biāo)一流,但制作成本非常高配套設備,甚至比NV-DIMMM更為昂貴更優質,就像是Intel的傲騰都是在虧本在賣(mài)。
所以Mobiveil與Crossbar將ReRAM的銷(xiāo)售方向推進高水平、潛在客戶(hù)都與Intel 3D XPoint閃存硬盤(pán)Optane相同脫穎而出,并在積極開(kāi)發(fā)能夠平衡價(jià)格與性能的產(chǎn)品,帶動(dòng)公司的繼續(xù)發(fā)展生產創效。
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