例如優化上下，在有對Flash寫入或擦除操作的代碼中，如果用戶誤調用了寫入或擦除函數(shù)或者由于程序跑飛而恰好執(zhí)行了Flash擦除或寫入函數(shù)模樣，這就會導致數(shù)據(jù)丟失或改變生產體系。針對以上情況，可以在程序中設置多個允許操作的變量很重要，當執(zhí)行寫入或擦除操作時能力和水平，對這些變量進行判斷，只有條件全部滿足時異常狀況，才執(zhí)行相應的操作研究。在一些不需要進行擦除或寫入操作的系統(tǒng)中，對存儲區(qū)進行寫保護或擦除保護設置應用創新，能有效的防止數(shù)據(jù)被意外修改提高。做到了寫入或擦除的可控性，基本可以避免此種情況發(fā)生的特性。

　
2交流、電源失效

　　
電源電壓的異常可能會導致系統(tǒng)單片機系統(tǒng)工作異常的現(xiàn)象提供堅實支撐，如輸出電壓小于單片機系統(tǒng)工作所需的最小電壓還不大，輸出電壓不干凈，噪音嚴重等信息化技術，這些很容易引起單片機內部電路的邏輯紊亂發揮作用，F(xiàn)lash的讀寫信號處于不穩(wěn)定狀態(tài)撔碌募夹g？赡墚a生滿足Flash的寫操作發揮，從而給系統(tǒng)帶來嚴重的損害。針對以上情況就此掀開，可以在系統(tǒng)中加入電源監(jiān)控芯片或使能MCU本身的電源監(jiān)控電路長足發展，在電源異常的情況下禁止對Flash區(qū)域操作。

　　
3穩步前行、系統(tǒng)時鐘不穩(wěn)定

　　
無論對于內部Flash還是外部Flash結構不合理，系統(tǒng)時鐘的不穩(wěn)定，都將導致MCU得不到可靠的工作時序信號逐步改善，從而在讀寫Flash時產生不可預料的后果意見征詢。

　　
4、環(huán)境干擾

　　
環(huán)境干擾的可能原因很多大大提高，如生產過程中的高溫焊接的必然要求、靜電研究成果、使用環(huán)境的溫濕度，強磁場等完善好，都可能影響到Flash或整個系統(tǒng)的穩(wěn)定大面積。環(huán)境干擾的因素很多。

 

 

本文關鍵詞：Flash

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