2）CPU內(nèi)部的L1／L2或外部的L2高速緩存引領作用。

 

SSRAM（Synchronous SRAM）即同步靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器基礎上。同步是指Memory工作需要同步時鐘統籌推進，內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準(zhǔn)國際要求；隨機(jī)是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲探討，而是由指定地址進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫結論。

 

對于SSRAM的所有訪問都在時鐘的上升/下降沿啟動解決方案。地址、數(shù)據(jù)輸入和其它控制信號均于時鐘信號相關(guān)提高鍛煉。這一點(diǎn)與異步SRAM不同發展邏輯，異步SRAM的訪問獨(dú)立于時鐘，數(shù)據(jù)輸入和輸出都由地址的變化控制有所提升。

 

SDRAM（Synchronous DRAM）即同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器。同步是指 Memory工作需要同步時鐘新的力量，內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準(zhǔn)先進水平；動態(tài)是指存儲陣列需要不斷的刷新來保證數(shù)據(jù)不丟失便利性；隨機(jī)是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲，而是自由指定地址進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫重要平臺。

FLASH 即閃存深刻認識。它是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意 : NOR Flash 為字節(jié)寫存儲應用提升。）主動性，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。

Nand Flash和Nor Flash都是Flash的一種發展的關鍵，都是散存道路，都是磁盤存儲介子，但是NandFlash一般比較大真諦所在，而NorFlash都比較小指導，并且NorFlash比較貴，并且NorFlash寫的速度比較慢充分，但讀的速度比較快 進一步完善，而NandFlash讀的速度比較慢，寫的速度比較競爭力。

EEPROM 即電子可擦除只讀存儲器調整推進。EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫敢於挑戰，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快不斷創新。由于其斷電時仍能保存數(shù)據(jù)，閃存通常被用來保存設(shè)置信息探索，如在電腦的BIOS（基本輸入輸出程序）堅持先行、PDA（個人數(shù)字助理）、數(shù)碼相機(jī)中保存資料等滿意度。

串行EEPROM（I2C SPI）

并行EEPROM

flash按接口分有總線flash情況較常見，SPI flash≈饕ナ?？偩€flash需要你的MCU上有外部總線接口體製，SPI flash就是通過SPI口對flash進(jìn)行讀寫。速度上創新科技，總線flash比SPI的快服務延伸，但是SPI的便宜。


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