三星欲壟斷DRAM和NAND閃存市場
2017-12-11 16:08:36
據(jù)外媒報道,經過50年的發(fā)展使用,半導體市場的表現(xiàn)還是非承袠I內卷;钴S為產業發展,它在今年有望增長20%搖籃。隨著高增長而來的是供應短缺,這就是DRAM和閃存價格漲價的根本原因更適合。
三星在DRAM和閃存市場占有半壁江山用的舒心,計劃明年將其在生產方面的資本支出預算增加1.5倍,提高至260億美元強化意識。相比之下長期間,英特爾在2017年的資本支出預算120億美元就顯得有點少了,較2016年增長了25%現場。事實上高端化,三星的預算是2017年三家大公司英特爾、臺積電和SK海力士的資本支出預算的總和我有所應。
三星的主要競爭對手現(xiàn)在面臨著一個艱難的選擇提單產。它們要么提高資本支出預算,保障足夠的供應量至關重要,從而保障一定的市場份額發展空間,要么干脆放棄競爭,因為三星更高的產能將會產生別人難以企及的規(guī)模經濟效應有所應。
任何想要追趕三星的公司都面臨著整個行業(yè)供給過剩足了準備、價格下滑以及虧損擴大的問題。半導體工廠必須全負荷運行著力提升,才能維持最低的成本深刻內涵,只要價格能夠支付各種可變開支和固定成本,那就值得繼續(xù)維持工廠運轉重要的作用。
但是貢獻,如果它們不增加預算,提高產能穩中求進,那么它們就可能面臨市場份額萎縮統籌、成本增加并最終被淘汰出局的結果。不要指望英特爾和鎂光的合資企業(yè)能夠對抗三星協同控製。英特爾幾十年前就退出了DRAM市場振奮起來。
英特爾和鎂光依靠其3D XPoint NVRAM(非易失性閃存)可能能夠在DRAM和閃存市場上占有一席之地。但是重要作用,這一希望注定落空等地,因為它們決定將3D XPoint捆綁到英特爾CPU上。此外尤為突出,三星可以從Crossbar或Nantero公司那里購買或獲得授權使用與NVRAM競爭的技術規定。
對于消費者來說,一個利好的消息是:在未來12-18個月內空間載體,我們應該會看到更便宜的DRAM和NAND閃存出現(xiàn)高質量。但是,從長遠來看,我們可能會看到三星壟斷DRAM和NAND閃存生產流程,減緩價格下降速度以及遏制競爭合作。
本文關鍵詞:
DRAM NAND閃存
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