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單芯片F(xiàn)RAM存儲解決方案成為嵌入式設(shè)計的理想選擇

2017-12-25 14:15:45

人們選用存儲器時主要考慮的指標(biāo)包括安全性、讀寫速度優勢、使用壽命、產(chǎn)品功耗和存儲容量等充分。FRAM(鐵電存儲器)由于具有ROM的非易失性和RAM的隨機(jī)存取特性,以及高速讀寫/高讀寫耐久性(高達(dá)1014次)和抗輻射特性廣泛應用,非常適合許多工業(yè)類和醫(yī)療類應(yīng)用關註度。

在工業(yè)計算機(jī)與嵌入式系統(tǒng)展上,富士通半導(dǎo)體公司(Fujitsu)市場部高級產(chǎn)品工程師伍宏杰表示哪些領域,F(xiàn)RAM是嵌入式領(lǐng)域一個比較有優(yōu)勢的產(chǎn)品敢於挑戰,對設(shè)計有幫助不斷創新,很多工程師都表示有興趣使用這樣一款存儲器。

FRAM使得設(shè)計產(chǎn)品無需配備后備電池和掉電保護(hù)電路提供了遵循。單芯片F(xiàn)RAM解決方案能夠使產(chǎn)品體積做得更小參與水平,減少維護(hù)和保養(yǎng)成本,滿足環(huán)保服務效率、低功耗等要求明確相關要求。其高速讀寫/高讀寫耐久性能夠滿足對患者信息數(shù)據(jù)實(shí)時頻繁記錄的要求。其抗輻射性則非常適用于需要對產(chǎn)品進(jìn)行射線消毒的領(lǐng)域統籌發展。這些優(yōu)點(diǎn)都非常適合便攜式醫(yī)療器械應(yīng)用深化涉外。

對于一些工業(yè)和通信類應(yīng)用,工程師往往會選用SRAM加EEPROM及電容的存儲方案生產製造,靠電容維持SRAM運(yùn)作開展試點,然后將SRAM的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)存到EEPROM中。這樣共同,相對單一的鐵電存儲器方案推進一步,系統(tǒng)的復(fù)雜度增加了很多,而且這也存在一定的風(fēng)險簡單化。選用SRAM加電池來存儲力度,同樣沒有多少優(yōu)勢,而且電池也存在一定使用壽命系統性;在野外等工作環(huán)境比較惡劣的情況下勇探新路,電池還有可能會腐爛。而鐵電存儲器只要一顆就可以解決便利性,并且可以減少不必要的風(fēng)險。

在醫(yī)療領(lǐng)域行動力,F(xiàn)RAM的最大優(yōu)點(diǎn)在于它的抗輻射性提供有力支撐。而對于工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用(比如電表和流量計應(yīng)用),它們對數(shù)據(jù)的記錄非常頻繁(ms級)保供,F(xiàn)RAM的優(yōu)點(diǎn)在于高耐久性自行開發。對于汽車應(yīng)用,考慮到駕車的安全性引領,在停車前的15s或30s需要將汽車的行駛狀況記錄下來自動化裝置。如果存儲器存儲速度不夠快,最后的關(guān)鍵數(shù)據(jù)可能丟失應用前景。鐵電存儲器能夠很好地滿足這類應(yīng)用有很大提升空間。

最后,伍宏杰表示首次,對于產(chǎn)品性能參數(shù)方面(包括讀寫速度可能性更大、功耗等)部署安排,該公司的FRAM都能基本達(dá)到客戶要求。同時技術,富士通的FRAM今后會越做越寬(不同的電壓和接口類型等)推廣開來,并推出更多大容量的產(chǎn)品。很多工程師在設(shè)計產(chǎn)品時需要用到很大容量的存儲器相對較高,但是如果FRAM容量太大導(dǎo)致成本無法接受的話資源配置,有一種解決方法是采用小容量的FRAM存儲關(guān)鍵數(shù)據(jù),將不太重要的數(shù)據(jù)存儲到FLASH或EEPROM中相關,這樣既解決了成本問題大力發展,安全性又能得到保障。

本文關(guān)鍵詞:單芯片F(xiàn)RAM

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