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全球最小DRAM內(nèi)存芯片面世

2017-12-28 15:54:15

三星在2016 年 2 月使用第一代 10nm 制程工藝生產(chǎn)出了 8Gb DDR4 芯片之后去突破,三星電子近日又宣布已開始通過第二代 10nm 制程工藝生產(chǎn) 8Gb DDR4 芯片成效與經驗。另據(jù)路透社報道,三星開發(fā)的 8Gb DDR4 芯片是“全球最小”的 DRAM 芯片生產效率。
  
據(jù)悉,和第一代 10nm 工藝相比效果,三星第二代 10nm 工藝的產(chǎn)能提高了 30%使用,有助于滿足全球客戶不斷攀升的 DRAM 芯片需求。而且密度增加,第二代 10nm 芯片不僅比第一代快 10%有效性,同時功耗還降低了 15%。
  
三星表示機遇與挑戰,和 2012 年使用 20nm 工藝生產(chǎn)的 4Gb DDR3 芯片相比廣泛關註,新的 8Gb DDR4 芯片在容量、速度以及功效上都提升了一倍集成技術。三星希望通過擴(kuò)大 10nm DRAM 芯片的生產(chǎn)深入實施,深挖服務(wù)器、移動和圖形芯片市場發展空間,進(jìn)一步提升整體競爭力效果。
  
同時,三星還表示足了準備,將在 2018 年把現(xiàn)有多數(shù) DRAM 芯片產(chǎn)能轉(zhuǎn)移到 10nm 芯片上合作關系。
  
一直以來,DRAM 行業(yè)一直被行業(yè)三強(qiáng)壟斷深刻內涵。韓國的三星電子傳遞、SK海力士以及美國的美光科技擁有該領(lǐng)域的絕對話語權(quán),三者的地位也相對固定深入闡釋。2017年三季度數(shù)據(jù)顯示相關性,這三家企業(yè)的營收市占率分別為45.8%完成的事情、28.7%和21.0%,共占取全球九成份額穩定。
  
特別是三星改造層面,從 1992 年超越日本 NEC 成為全球最大 DRAM 存儲制造商后,便一直霸占榜首的位置 25 年品質。而三星 2017 年的業(yè)績也非常優(yōu)秀利用好,可以說,半導(dǎo)體業(yè)務(wù)是運(yùn)營利潤的主力解決問題。
  
三星最新的財報顯示系列,三星今年第三季度利潤翻倍,達(dá)到 842 億元相互配合,同比增長達(dá)到了驚人的 178.9%慢體驗,創(chuàng)下史上最高記錄。其中智能化,受益于全球芯片價格上漲重要組成部分,半導(dǎo)體部門三季度運(yùn)營利潤達(dá) 9.96 萬億韓元(約合 590.89 億元人民幣),占整體運(yùn)營利潤的近69%合作。
  
曾有報道稱勃勃生機,自去年第二季度起,DRAM(主要包括移動式內(nèi)存極致用戶體驗、PC 內(nèi)存提供有力支撐、服務(wù)器內(nèi)存)產(chǎn)業(yè)營收都在一路飆升,每個季度都在刷新銷售額紀(jì)錄建議。此外品率,據(jù)臺灣 DRAM 相關(guān)廠商透露,三星不斷發展、海力士陸續(xù)宣布明年首季調(diào)漲 DRAM 售價3%-5%積極影響。
  
根據(jù) Gartner 的分析,從產(chǎn)能增加情況和市場需求的預(yù)測緊密協作,明年上半年DRAM產(chǎn)品仍然會緊俏越來越重要,下半年會達(dá)到供需平衡甚至過多,但在局部市場一季度就可能看到回落發揮重要作用。
  
從目前情況看醒悟,三星、海力士開始采取行動來予以應(yīng)對高質量。如三星宣布計劃在平澤設(shè)廠擴(kuò)建 DRAM 產(chǎn)能也逐步提升,SK海力士也宣布將在無錫設(shè)廠擴(kuò)建 DRAM 產(chǎn)能,主流大廠的擴(kuò)產(chǎn)計劃很有可能緩解持續(xù)上漲的走勢註入了新的力量。
  
盡管三星目前透露出擴(kuò)建 DRAM 產(chǎn)能的消息重要的作用,但并沒有透露擴(kuò)建規(guī)模的相關(guān)計劃更多可能性。從三星的戰(zhàn)略來看有未來有兩種可能,第一種反應能力,擴(kuò)建的產(chǎn)能規(guī)模足夠填補(bǔ)當(dāng)下需求缺口共謀發展,那么將緩和本輪價格上漲趨勢;第二,計劃擴(kuò)建更大產(chǎn)能有所提升,那么到明年下半年 PC 內(nèi)存價格將會逐漸下跌聽得進。

本文關(guān)鍵詞:DRAM    DDR3

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